晶體管和FET的近況
發(fā)布時(shí)間:2012/5/8 20:37:37 訪問次數(shù):746
雖然說電路的主角已經(jīng)讓給IC和LSI,但仍ND2020L然留下許多必須使用晶體管和FET分立器件的領(lǐng)域。為了在這些特定的領(lǐng)域擔(dān)負(fù)最適當(dāng)?shù)墓ぷ,最新的器件在外形和性能上進(jìn)行了改進(jìn),并且這種改進(jìn)還在繼續(xù)進(jìn)行著。
作為預(yù)備知識(shí),讓我們從器件外部和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)來觀察最新的晶體管和FET。外形(封裝)的改進(jìn)
照片1. 1~1.3表示各種晶體管和FET的外形。
雖然說電路的主角已經(jīng)讓給IC和LSI,但仍ND2020L然留下許多必須使用晶體管和FET分立器件的領(lǐng)域。為了在這些特定的領(lǐng)域擔(dān)負(fù)最適當(dāng)?shù)墓ぷ鳎钚碌钠骷谕庑魏托阅苌线M(jìn)行了改進(jìn),并且這種改進(jìn)還在繼續(xù)進(jìn)行著。
作為預(yù)備知識(shí),讓我們從器件外部和內(nèi)部的結(jié)構(gòu)來觀察最新的晶體管和FET。外形(封裝)的改進(jìn)
照片1. 1~1.3表示各種晶體管和FET的外形。
熱門點(diǎn)擊
- 推挽型射極跟隨器
- DSWare
- 產(chǎn)品的質(zhì)量保證等級(jí)
- 使用恒流負(fù)載的射極跟隨器
- 引線鍵合失效
- 聲表面波器件的特點(diǎn)和可靠性要求
- 焊接方法
- 外殼結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- BiMOS集成電路
- 消除寄生效應(yīng)的版圖設(shè)計(jì)技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- 車載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究