圖2.11是圖2.1電路中TMS320F28027PTT使用的N溝JFET 2SK184（東芝）的傳輸特性。圖中的多根曲線說明器件特性存在分散性。

    實際的FET的漏極飽和電流IDSS具有較大的分散性。由于IDSS的原因，使得ID為零時的電壓——夾斷電壓V。也有變化。
    雙極晶體管的特性是按直流電流放大系數(shù)值hFE分檔次的。但是對于FET不是按跨導(dǎo)g。而是按IDSS區(qū)分檔次。gM與IDSS之間有關(guān)系，IDSS愈大，gM也愈大（如果是同型號的FET，IDSS愈大，傳輸特性曲線的斜率愈大，因而gm也大）。
    表2.1是2SK184的IDSS各檔次。東芝器件的IDSS、^FE的檔次是用Y（黃）、R（紅）等顏色標(biāo)記的。有的公司是用羅馬字母標(biāo)記的。