MOSFET的耗盡特性與JFET的耗盡特性稍有不同，對(duì)于N溝器件即使VGS為正，ID仍持續(xù)流動(dòng)（P溝情況下即使VGS為負(fù)，工D仍持續(xù)流動(dòng)）。耗盡型MOSFET的IDSS不是漏極一源極間所流過的最大電流，只是Vcs =OV時(shí)的漏極電流JD值。

    耗盡型MOSFET由于VGS =OV時(shí)仍有ID流過（所謂Normally ON器件），所以很難應(yīng)用在開關(guān)電路或者功率放大電路中。但是，它的優(yōu)點(diǎn)是在高頻放大電路中容易構(gòu)成偏置電路，所以高頻放大用的MOSFET幾乎都是耗盡型的。
    對(duì)于Vcs =OV時(shí)ID為零的增強(qiáng)型MOSFET(所謂Normally OFF器件)，如果把V BE當(dāng)成VGS，就可以采用與晶體管相同的偏置方法，所以可以與晶體管相互置換使用。
    目前，應(yīng)用于開關(guān)、調(diào)節(jié)器的開關(guān)器件或電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等功率放大電路的MOSFET(所謂的功率MOS)幾乎都是增強(qiáng)型器件。
    JFET能限制IDSS似上的漏極電流，具有電流限制作用。但是MOSFET，不論是耗盡型還是增強(qiáng)型，VGS愈大漏極電流愈大，所以沒有電流限制作用。