MOSFET的跨導(dǎo)
發(fā)布時間:2012/5/20 18:50:55 訪問次數(shù):1783
MOSFET的跨導(dǎo)g。與JFET相同，是傳輸TMS320F28021PTT函數(shù)曲線的斜率，即AVcs與A/D之比。
圖2.13是高頻放大用N溝MOSFET 2SK241（東芝）的傳輸特性。這個FET
是耗盡型器件，V GS在負(fù)電壓區(qū)時有電流流出，即使VGS越過OV，ID仍然相應(yīng)地繼續(xù)增加。多根曲線表明IDSS的分散性。
圖2. 14是開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612 (NEC)的傳輸特性。這種FET是增強(qiáng)型器件，可以看出如果VGS不是在正電壓區(qū)，就沒有ID流出。
MOSFET的跨導(dǎo)g。與JFET相同，是傳輸TMS320F28021PTT函數(shù)曲線的斜率，即AVcs與A/D之比。
圖2.13是高頻放大用N溝MOSFET 2SK241（東芝）的傳輸特性。這個FET
是耗盡型器件，V GS在負(fù)電壓區(qū)時有電流流出，即使VGS越過OV，ID仍然相應(yīng)地繼續(xù)增加。多根曲線表明IDSS的分散性。
圖2. 14是開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612 (NEC)的傳輸特性。這種FET是增強(qiáng)型器件，可以看出如果VGS不是在正電壓區(qū)，就沒有ID流出。
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上一篇：Vg與VS的波形
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