圖12.25是將N溝JFET用在TPS51200DRCR輸入部分的差動放大電路上的OP放大器電路。
    由于FET的流入柵極的電流是非常小的，所以用在OP放大器的輸入電路中，則能夠提高OP放大器本身的輸入阻抗。這種OP放大器可以用在取樣保持電路和將輸入阻抗非常高的傳感器信號進行放大的電路上。
    圖12.25電路儀僅是將圖12.9所示的電路的Tri與Tr2用N溝JFET代替后的電路。然而，JFET與晶體管相比較，則器件本的增益低，所以相位補償電路的常數(shù)稍有不同(在圖12.25中，R4 =470fl)。
    要注意選擇JFET漏飽和電流的檔次。JFET的IDSS是漏源之間流動的最大電流（不破壞器件的限界，在JFET中不能流過IDSS以上的電流），所以必須選擇比差動放大電路各自電流的設定值要大的IDSS的器件（或者必須將差動放大電路中流動的電流設定在比所選擇器件的IDSS要小的值）。

                
    在圖12.25中，由于差動放大電路各自的電流設定在ImA，所以Tri與Tr2的IDSS必須在ImA以上。在這里，選擇通用N溝JFET 2SK330（東芝）（關于2SK330的特性請參考第10章的表10.1）。
    由于2SK330的IDSS最低是1.2mA，所以在該電路中，無論使用哪個檔次都沒有關系。但是，Tr，與Tr2必須作為差動放大的對管進行工作。為了器件特性盡可能的一致，要使用同一檔次IDSS的器件。
    還有，JFET的柵一源間電壓V(。s(相當于雙極晶體管的VBE)隨IDS。有相當大的分散性。這里使用的2SK330，IDSS有1.2m～14mA的分散性，因此VG。的1～3V。
    這樣，F(xiàn)ET是器件之間分散性大的器件，所以，如果連IDSS的檔次都不一致，則差動放大電路肯定不工作。
    進而，將JFET使用在OP放大器電路的初級上，則由于器件之間的分散性所產(chǎn)生的影響也變大，故而有輸入補償電壓變大的缺點。
    在該電路中，想將輸入補償電壓變小時，在Tr1、Tr2上使用單片式雙管FET[例如2SK389（東芝）]就可以。單片式雙管FET，由于是在一個半導體襯底上緊挨著形成FET，所以器件之間的各種特性差別是非常之小的。