Ci是否真的沒有構(gòu)成低通MSP430F1232IPWR濾波器？為了確認這一點，如圖6.7所示在源極一GND間連接了一個lOyF的電容器(如果FET的輸入電容等效為lOtLF)。
    照片6.9是給圖6.7的電路輸入lkHz、1VP-P，的正弦波時的輸入輸出波形。果FET的榆入電容影響到電路的工作，那么源極連接的10FLF電容器與Rs就應該構(gòu)成低通濾波器（認為信號源的輸出阻抗為零）。
    這個低通濾波器的截止頻率為16Hz，那么lkHz的信號應該被充分衰減(計算得衰減量為36dB)，不應該出現(xiàn)輸出信號。
    但是，如照片6.9所示輸出端出現(xiàn)了0.46VP-P的信號（實際的電路中，源極的阻抗對于GND不為零，所以本來的2.7VP-P降低為0.46VP-P，還出現(xiàn)了輸入輸出波形的相位差）
    由此可以說明在柵極接地放大電路中，輸入電容并沒有構(gòu)成低通濾波器。

    因此，柵極接地比源極接地的頻率特性好�；蛘哒f，柵極接地的頻率特性是FET本來的特性；源極接地時由于密勒效應而增大了輸入電容使本來的頻率特性被掩蓋了。