升壓型開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/5/29 19:58:23 訪問(wèn)次數(shù):587
圖11.9是反饋電路EIC4021部分的框圖。將誤差信號(hào)放大并接通／斷開(kāi)開(kāi)關(guān)信號(hào)的放大器是一個(gè)利用雙極晶體管簡(jiǎn)單的單管電路。這個(gè)反饋電路的基準(zhǔn)電壓信號(hào)是晶體管的VBE。反饋過(guò)程如下。
當(dāng)輸出電壓的分壓電位Vc比Trz的基極一發(fā)射極間電壓VBE(約0.6V)低時(shí)Tr2截止，振蕩電路的輸出通過(guò)R2輸送到IC1的11號(hào)管腳，使MOSFET開(kāi)關(guān)（如果開(kāi)關(guān)，則Vc變高）。然后，當(dāng)輸出電壓的分壓電位Vc比Trz的BE還高時(shí)Tr2導(dǎo)通，由于IC1的11號(hào)管腳接地，所以MOSFET的柵極變?yōu)長(zhǎng)電平，開(kāi)關(guān)停止（如果停止開(kāi)關(guān)，則Vc降低）。通過(guò)這樣的反復(fù)動(dòng)作，使輸出電壓穩(wěn)定在一定值。
圖11.9是反饋電路EIC4021部分的框圖。將誤差信號(hào)放大并接通／斷開(kāi)開(kāi)關(guān)信號(hào)的放大器是一個(gè)利用雙極晶體管簡(jiǎn)單的單管電路。這個(gè)反饋電路的基準(zhǔn)電壓信號(hào)是晶體管的VBE。反饋過(guò)程如下。
當(dāng)輸出電壓的分壓電位Vc比Trz的基極一發(fā)射極間電壓VBE(約0.6V)低時(shí)Tr2截止，振蕩電路的輸出通過(guò)R2輸送到IC1的11號(hào)管腳，使MOSFET開(kāi)關(guān)（如果開(kāi)關(guān)，則Vc變高）。然后，當(dāng)輸出電壓的分壓電位Vc比Trz的BE還高時(shí)Tr2導(dǎo)通，由于IC1的11號(hào)管腳接地，所以MOSFET的柵極變?yōu)長(zhǎng)電平，開(kāi)關(guān)停止（如果停止開(kāi)關(guān)，則Vc降低）。通過(guò)這樣的反復(fù)動(dòng)作，使輸出電壓穩(wěn)定在一定值。
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