在本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì)的同時(shí)，自由GRM155R71H391KA01D電子在運(yùn)動(dòng)中有可能和空穴相遇，重新被共價(jià)鍵束縛起來(lái)，電子空穴對(duì)消失，這種現(xiàn)象稱(chēng)為“復(fù)合”。激發(fā)和復(fù)合現(xiàn)象是相互矛盾的，最終處于動(dòng)態(tài)平衡時(shí)本征激發(fā)的電子空穴對(duì)很少，所以導(dǎo)致其導(dǎo)電能力非常弱，按近絕緣體，因此一般不直接使用本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料具有兩個(gè)非常重要的特性：(1)熱敏和光敏特性（當(dāng)溫度升高或者光照增強(qiáng)時(shí)，其導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)）；(2)摻雜特性（在純凈的半導(dǎo)體中摻人少量的雜質(zhì)后，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)），所以常用的半導(dǎo)體材料實(shí)際上都是經(jīng)過(guò)摻雜后形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。按照摻人雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為N型和P型兩種。
    1．N型半導(dǎo)體
    在純凈的硅（或鍺）晶體中，摻入少量磷（或其他五價(jià)元素，如砷），由于摻入的元素?cái)?shù)量較少，因此整個(gè)晶體結(jié)構(gòu)基本上保持不變，只是某些位置上的硅原子被磷原子替代。磷原子五個(gè)價(jià)電子中的四個(gè)與硅原子形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，而多余一個(gè)價(jià)電子處于共價(jià)鍵之外，很容易掙脫原子核的束縛成為自由電子。這樣，半導(dǎo)體中自由電子數(shù)目明顯增加，大大提高了半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。同時(shí)空穴數(shù)量遠(yuǎn)少于自由電子數(shù)量，故自由電子被稱(chēng)為多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子），空穴被稱(chēng)為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體主要以電子導(dǎo)電為主，稱(chēng)為電子半導(dǎo)項(xiàng)目1設(shè)計(jì)與制作線性集成直流穩(wěn)壓電源體，簡(jiǎn)稱(chēng)N型半導(dǎo)體，如圖1-15(a)所示。
   2．P型半導(dǎo)體
   在純凈的硅（或鍺）晶體中，摻人少量硼（或其他三價(jià)元素，如鋁），硼原子與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵時(shí)，會(huì)因缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中出現(xiàn)一個(gè)空位，這個(gè)空位很容易被相鄰的價(jià)電子填補(bǔ)，而使失去價(jià)電子的共價(jià)鍵出現(xiàn)一個(gè)空穴。這樣，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中出現(xiàn)大量空穴，空穴被稱(chēng)為多數(shù)載流子，自由電子被稱(chēng)為少數(shù)載流子。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱(chēng)P型半導(dǎo)體，如圖1-15(b)所示。

    必須指出的是，不論是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，雖然都是一種載流子占多數(shù)，但整個(gè)晶體中正負(fù)電荷數(shù)量相等，呈現(xiàn)電中性。