若在一塊本征半導(dǎo)體上，兩邊摻入GRM155R71H392KA01D不同的雜質(zhì)，使一邊成為P型半導(dǎo)體，另一邊成為N型半導(dǎo)體，由于兩種半導(dǎo)體的多子不同，其交界面兩側(cè)的電子和空穴存在濃度差，會出現(xiàn)多子的擴(kuò)散運(yùn)動。N區(qū)的自由電子往P區(qū)擴(kuò)散，而P區(qū)的空穴往N區(qū)擴(kuò)散，如圖1-16所示。擴(kuò)散的結(jié)果是在N區(qū)留下帶正電的離子（圖中用①表示），而P區(qū)留下帶負(fù)電的寓子（圖中用O表示），在交界面兩側(cè)的區(qū)域內(nèi)，自由電子和空穴因復(fù)合而成對消失，形成一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是PN結(jié)，也稱為耗盡層或者勢壘層。
    如果在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體上各加上一根引線，然后進(jìn)行封裝，便構(gòu)成一個二極管，所以PN結(jié)是二極管最核心的組成部分。

               
    在空間電荷區(qū)內(nèi)，靠N區(qū)一側(cè)的是失去了電子的正離子，帶正電；靠P區(qū)一側(cè)的是得到了多余電子的負(fù)離子，帶負(fù)電，因此產(chǎn)生一個由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場E，如圖1-16所示。該電場有兩方面的作用：一方面阻擋多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動；另一方面使N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)漂移，使P區(qū)的少數(shù)載流子自由電子向N區(qū)漂移。少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下有規(guī)則的運(yùn)動叫做漂移運(yùn)動。
    在PN結(jié)的形成過程中，剛開始時，以擴(kuò)散運(yùn)動為主，隨著空間電荷區(qū)的加寬和內(nèi)電場的加強(qiáng)，多數(shù)載流子運(yùn)動逐漸減弱，漂移運(yùn)動逐漸加強(qiáng)，使空間電荷區(qū)變窄。而空間電荷區(qū)的變窄，又會對擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生抑制作用。最終，擴(kuò)散運(yùn)動與漂移運(yùn)動會達(dá)到動態(tài)平衡。此時，空間電荷區(qū)的寬度基本穩(wěn)定下來，擴(kuò)散電流等于漂移電流，通過PN結(jié)的電流為零，PN結(jié)處于動態(tài)的穩(wěn)定狀態(tài)。