可控硅整流器（silicon controlled rectifier，簡稱SCR，也叫做晶A1010B-PL44I體閘流管）是一種4層的PNPN半導(dǎo)體。其內(nèi)部擁有3組PN結(jié)構(gòu)造。如圖3.84所示，對(duì)于PNPN結(jié)合的半導(dǎo)體來說，無論是將其左邊設(shè)為O極還是將其右邊設(shè)為0極，從任何一方看過去都有反向的PN結(jié)（截止?fàn)顟B(tài)）存在。例如，左端接④極，則PiNi、P2 Nz的兩個(gè)結(jié)為正向，但NIP2成反向。結(jié)果，不管怎么樣在此情況下電流都是不可能導(dǎo)通的。
    接下來我們?cè)噷i NIP2 N2的4層半導(dǎo)體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。極接到N。層上。結(jié)果，如圖3.85所示，電流導(dǎo)通整個(gè)元件。這是為什么呢？
    首先，我們把PiNiPz N2的4層結(jié)構(gòu)看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復(fù)合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來處理。對(duì)于P2 N2來說，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動(dòng)。此時(shí)，從N2區(qū)域穿過P2入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進(jìn)入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的穴移動(dòng)，進(jìn)一步導(dǎo)致集電極區(qū)域Pl的空穴擴(kuò)散。

                
    通過上述動(dòng)作的反復(fù)，則電流導(dǎo)通整個(gè)可控硅整流器。結(jié)果，對(duì)于PNPN層的兩端來說，原來無論加載什么方向的電壓都不能導(dǎo)通的半導(dǎo)體，通過對(duì)其中間的PN層賦予正向電壓，可以導(dǎo)通整個(gè)元件。
    可控硅的Pl層的端子稱為陽極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過對(duì)柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導(dǎo)通陽極一陰極的具有開關(guān)作用的元件。