在圖4.8的電路中，讀者SK110(SR1110)也許會認(rèn)為，要增加集電極電流Ic，只要加大集電極電壓VcC就可以了。但是，即使大幅度加大了集電極電壓，集電極電流也不會顯著增加。這是因為，如圖4.10所示，Vc。對集電極一基極之間成反向電壓。即使基極一發(fā)射極之間加上正向電壓，也會因為電壓降的大部分在集電極一基極之間（電阻非常大）產(chǎn)生，所以受Vcc大小變化的影響很小。恰好就與給二極管加上反向電壓，在齊納電壓以前的階段，即使加大電壓，電流還是幾乎不流通的情況非常相像。實際上，在此電路中，如圖4. 11所示，電流的大小是由到底有多少電子從發(fā)射極移動至基極而決定的。因此，加載于基極一發(fā)射極之間的正向電壓對集電極電流的影響力要大得多。
    由圖4.9可知，基極電流IB的曲線接近于與橫軸平行。隨著IB的增加，IC呈階段性的增長，也即表示它幾乎不受Vcc的影響，而受IB的影響較大。IB一30tiA（-30×10—6 A）時，Ic≈6mA(一6×10-3A)，B一20弘A時，Ic≈4mA。計算盧，則得p= IC／IB一6×10-3]（30×10叫）-200。根據(jù)VCE -IC特性曲線描繪的IB -IC特性如圖4.2所示。

    晶體管不耐熱，因溫度而改變其特性。不過，鍺晶體管與硅晶體管受溫度影響的程度有顯著的差異，后者較為穩(wěn)定。能使晶體管正常工作的結(jié)合部溫度的最大值稱為最大結(jié)合部溫度（Ti）。結(jié)合部的溫度是電流流過產(chǎn)生的熱造成的溫度上升與環(huán)境溫度之和，此溫度鍺晶體管約為75～85℃，硅晶體管約為130～175℃。