調(diào)試再流焊的四個階段溫度
發(fā)布時間:2012/8/9 19:31:10 訪問次數(shù):1332
1)預(yù)熱階段
預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱,以達到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo),但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快,會產(chǎn)生熱沖擊,電路板和元件都可能受損;如果溫升過慢,則溶劑揮發(fā)不充分,影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快,在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對元件的損傷,一般規(guī)定最大溫升為4℃/s。通常上升速率設(shè)定為1~3℃/s。典型的溫升速率為2℃/s。
2)保溫階段
保溫階段是指溫度從120~150℃升至焊膏熔點的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定,盡量減小溫差。在這個區(qū)域里給予足夠的時間使較大元件的溫度趕上較小元件,并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束,焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去,整個電路板的溫度達到平衡。應(yīng)注意的是,SMB上所有元件在這一段結(jié)束時應(yīng)具有相同的溫度,否則進入到回流段將會因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
3)回流階段
在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高,使組件的溫度快速上升至峰值溫度;亓髑的峰值溫度通常是由焊錫的熔點、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段,焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同,一般推薦比焊膏的熔點高20~40℃。對于熔點為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏,峰值溫度一般為210~230℃,有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205~230℃,無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點及潤濕不夠,峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外,超額的共界金屬化合物將形成,并影響焊接點的焊接強度。
再流時間不要過長,以防對SMB造成不良影響。同時,由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素,共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比,且與超過焊錫熔點的時間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出,超過熔點以上的時間必須減少,一般設(shè)定在45~90s之間。從熔點溫度快速上升到峰值溫度,同時考慮元件承受熱應(yīng)力因素,溫升率須介于2.5~3.5℃/s之間,且最大改變率不可超過4℃/s。
4)冷卻階段
高于焊錫熔點以上的慢冷卻率,將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生,以及在焊接點處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu),使焊接點強度變低,此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點溫度和比熔點溫度低一點的溫度范圍內(nèi)?焖倮鋮s將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度,產(chǎn)生熱膨脹的不匹配,導(dǎo)致焊接點與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下,可允許的最大冷卻率是由元件對熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素,冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃/s左右,冷卻至75℃即可。
預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱,以達到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo),但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快,會產(chǎn)生熱沖擊,電路板和元件都可能受損;如果溫升過慢,則溶劑揮發(fā)不充分,影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快,在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對元件的損傷,一般規(guī)定最大溫升為4℃/s。通常上升速率設(shè)定為1~3℃/s。典型的溫升速率為2℃/s。
2)保溫階段
保溫階段是指溫度從120~150℃升至焊膏熔點的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定,盡量減小溫差。在這個區(qū)域里給予足夠的時間使較大元件的溫度趕上較小元件,并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束,焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去,整個電路板的溫度達到平衡。應(yīng)注意的是,SMB上所有元件在這一段結(jié)束時應(yīng)具有相同的溫度,否則進入到回流段將會因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
3)回流階段
在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高,使組件的溫度快速上升至峰值溫度;亓髑的峰值溫度通常是由焊錫的熔點、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段,焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同,一般推薦比焊膏的熔點高20~40℃。對于熔點為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏,峰值溫度一般為210~230℃,有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205~230℃,無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點及潤濕不夠,峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外,超額的共界金屬化合物將形成,并影響焊接點的焊接強度。
再流時間不要過長,以防對SMB造成不良影響。同時,由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素,共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比,且與超過焊錫熔點的時間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出,超過熔點以上的時間必須減少,一般設(shè)定在45~90s之間。從熔點溫度快速上升到峰值溫度,同時考慮元件承受熱應(yīng)力因素,溫升率須介于2.5~3.5℃/s之間,且最大改變率不可超過4℃/s。
4)冷卻階段
高于焊錫熔點以上的慢冷卻率,將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生,以及在焊接點處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu),使焊接點強度變低,此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點溫度和比熔點溫度低一點的溫度范圍內(nèi)?焖倮鋮s將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度,產(chǎn)生熱膨脹的不匹配,導(dǎo)致焊接點與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下,可允許的最大冷卻率是由元件對熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素,冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃/s左右,冷卻至75℃即可。
1)預(yù)熱階段
預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱,以達到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo),但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快,會產(chǎn)生熱沖擊,電路板和元件都可能受損;如果溫升過慢,則溶劑揮發(fā)不充分,影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快,在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對元件的損傷,一般規(guī)定最大溫升為4℃/s。通常上升速率設(shè)定為1~3℃/s。典型的溫升速率為2℃/s。
2)保溫階段
保溫階段是指溫度從120~150℃升至焊膏熔點的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定,盡量減小溫差。在這個區(qū)域里給予足夠的時間使較大元件的溫度趕上較小元件,并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束,焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去,整個電路板的溫度達到平衡。應(yīng)注意的是,SMB上所有元件在這一段結(jié)束時應(yīng)具有相同的溫度,否則進入到回流段將會因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
3)回流階段
在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高,使組件的溫度快速上升至峰值溫度;亓髑的峰值溫度通常是由焊錫的熔點、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段,焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同,一般推薦比焊膏的熔點高20~40℃。對于熔點為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏,峰值溫度一般為210~230℃,有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205~230℃,無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點及潤濕不夠,峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外,超額的共界金屬化合物將形成,并影響焊接點的焊接強度。
再流時間不要過長,以防對SMB造成不良影響。同時,由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素,共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比,且與超過焊錫熔點的時間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出,超過熔點以上的時間必須減少,一般設(shè)定在45~90s之間。從熔點溫度快速上升到峰值溫度,同時考慮元件承受熱應(yīng)力因素,溫升率須介于2.5~3.5℃/s之間,且最大改變率不可超過4℃/s。
4)冷卻階段
高于焊錫熔點以上的慢冷卻率,將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生,以及在焊接點處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu),使焊接點強度變低,此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點溫度和比熔點溫度低一點的溫度范圍內(nèi)?焖倮鋮s將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度,產(chǎn)生熱膨脹的不匹配,導(dǎo)致焊接點與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下,可允許的最大冷卻率是由元件對熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素,冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃/s左右,冷卻至75℃即可。
預(yù)熱的目的是把室溫下的PCB盡快加熱,以達到MURB2020CT-1PBF下一階段的特定目標(biāo),但升溫速率要控制在適當(dāng)范圍以內(nèi)。如果溫升過快,會產(chǎn)生熱沖擊,電路板和元件都可能受損;如果溫升過慢,則溶劑揮發(fā)不充分,影響焊接質(zhì)量。由于溫升較快,在溫區(qū)的后段SMB內(nèi)各元器件的溫差較大。為防止熱沖擊對元件的損傷,一般規(guī)定最大溫升為4℃/s。通常上升速率設(shè)定為1~3℃/s。典型的溫升速率為2℃/s。
2)保溫階段
保溫階段是指溫度從120~150℃升至焊膏熔點的階段。保溫的主要目的是使SMB內(nèi)各元件的溫度趨于穩(wěn)定,盡量減小溫差。在這個區(qū)域里給予足夠的時間使較大元件的溫度趕上較小元件,并保證焊膏中的助焊劑得到充分揮發(fā)。保溫階段結(jié)束,焊盤、焊料球及元件引腳上的氧化物被除去,整個電路板的溫度達到平衡。應(yīng)注意的是,SMB上所有元件在這一段結(jié)束時應(yīng)具有相同的溫度,否則進入到回流段將會因各部分溫度不均產(chǎn)生各種焊接不良現(xiàn)象。
3)回流階段
在回流階段加熱器的溫度設(shè)置得最高,使組件的溫度快速上升至峰值溫度;亓髑的峰值溫度通常是由焊錫的熔點、組裝基板和元件的耐熱溫度決定的。在回流階段,焊接峰值溫度視所用焊膏的不同而不同,一般推薦比焊膏的熔點高20~40℃。對于熔點為183℃的63Sn/37Pb焊膏和熔點為179℃的Sn62/Pb3 6/Ag2焊膏,峰值溫度一般為210~230℃,有鉛焊典型的峰值溫度范圍是205~230℃,無鉛焊典型的峰值溫度范圍是240—280℃。峰值溫度過低就容易產(chǎn)生冷接點及潤濕不夠,峰值溫度過高則環(huán)氧樹脂基板和塑膠部分易發(fā)生焦化和脫層。另外,超額的共界金屬化合物將形成,并影響焊接點的焊接強度。
再流時間不要過長,以防對SMB造成不良影響。同時,由于共界金屬化合物形成率、焊錫內(nèi)鹽基金屬的分解率等因素,共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出不僅與溫度成正比,且與超過焊錫熔點的時間成正比。為減少共界金屬化合物的產(chǎn)生及濾出,超過熔點以上的時間必須減少,一般設(shè)定在45~90s之間。從熔點溫度快速上升到峰值溫度,同時考慮元件承受熱應(yīng)力因素,溫升率須介于2.5~3.5℃/s之間,且最大改變率不可超過4℃/s。
4)冷卻階段
高于焊錫熔點以上的慢冷卻率,將導(dǎo)致過量共界金屬化合物的產(chǎn)生,以及在焊接點處易發(fā)生大的晶粒結(jié)構(gòu),使焊接點強度變低,此現(xiàn)象一般發(fā)生在熔點溫度和比熔點溫度低一點的溫度范圍內(nèi)?焖倮鋮s將導(dǎo)致元件和基板間產(chǎn)生太高的溫度梯度,產(chǎn)生熱膨脹的不匹配,導(dǎo)致焊接點與焊盤的分裂及基板的變形。一般情況下,可允許的最大冷卻率是由元件對熱沖擊的承受能力決定的。綜合以上因素,冷卻區(qū)降溫速率一般在4℃/s左右,冷卻至75℃即可。
熱門點擊
- 放大電路應(yīng)遵循的原則
- 倒裝芯片技術(shù)
- 拆焊方法
- 焊點質(zhì)量及檢查
- 深度負(fù)反饋放大器放大倍數(shù)的估算
- 助焊劑的種類
- 穩(wěn)壓二極管
- 觸發(fā)電平調(diào)節(jié)
- 集成運算放大器的內(nèi)部單元電路——差分放大電路
- 復(fù)合管的特點
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- 車載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計
- 嵌入式存儲芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究