MOSFET的跨導(dǎo)gm與JFET相同，是傳輸LM2575T-5.0函數(shù)曲線的斜率，即AVGS與AID之比。
    圖2.13是高頻放大用N溝MOSFET 2SK241（東芝）的傳輸特性。這個FET是耗盡型器件，VGS在負(fù)電壓區(qū)時有電流流出，即使VGS越過OV，ID仍然相應(yīng)地繼續(xù)增加。多根曲線表明IDSS的分散性。

    圖2.14是開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612 (NEC)的傳輸特性。這種FET是增強(qiáng)型器件，可以看出如果VGS不是在正電壓區(qū)，就沒有ID流出。

    這里我們稍微分析一下用這兩種MOSFET器件2SK241和2SK612替代圖2.1電路中的JFET時電路的工作情況。
    照片2.9和照片2.10是這時的柵極電位口。和源極電位口。的波形（輸入電壓vi與照片2.8中相同，即lkHz，0.5Vp-p）。
    對于2SK241．如照片2.9所示VGS為-0.5V。這與2SK184的VGS值基本相同。如從圖2. 13所看到的那樣，當(dāng)漏極電流ID為ImA時，VGS還處于負(fù)的區(qū)域，不是正值。
    2SK612的情況如照片2.10所示，VGS為+1.3V。因?yàn)?SK612是增強(qiáng)型器件，所以如從圖2.14所看到的那樣，VGS是正值。
    這樣，即使同一電路中使用結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性完全不同的FET，都能夠很方便地使其正常工作。
    但是，對于2SK241和2SK612來說，由于是替換2SK184，它們的工作點(diǎn)與2SK184的工作點(diǎn)(ID =lmA)稍有不同，這時因FET的型號而會導(dǎo)致的VGS不同。實(shí)際設(shè)計(jì)時，根據(jù)所使用FET的傳輸特性求出VGS確定工作點(diǎn)就可以了。
    在后面的電路設(shè)計(jì)一章將對此作詳細(xì)說明。