柵極偏壓電路的設計
發(fā)布時間:2012/8/16 19:20:56 訪問次數(shù):1072
按照式(3.3)，V的設定值是在LM2574N-5.0源極電位Vs上加上柵極一源極間電壓VGS的值。
圖3.6是2SK184 GR檔的傳輸特性。GR檔器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范圍。那么工作點ID =lmA時伴隨著的VGS值分散在-0.4～-O.1V的范圍。
因此，工D =lmA時的VGS的取這個范圍的中間值-0.25V。這樣，由式(3.3)得到V為：
VG=VS+VGS=2V+(-0.25V)=1.75V (3.17)由式(3.2)可以看出，柵極電位VG是電源電壓VDD=15V被柵極偏置電路Ri、R。分壓后的值，所以可以把R。的電壓降設定為1.75V，將R．的電壓降設定為13.25V。因此，Ri與R2之比設定為Ri：R2 =1. 75：13.25。
雙極晶體管中有基極電流流過，所以設定這種偏置電路（基極偏置電路）中的R，和R。值時必須使電流比基極電流大得多（10倍以上）。但是FET器件中沒有柵極電流，所以只要保證Ri與R2的比值，其電阻值多大都可以。
R．與R。的值只與電路的輸入阻抗Z．有關（后面將測定Zi），如果值太小，將會使得Zi變小，導致電路應用上的困難。所以應取值稍大些，這里取R2一20k0，Ri=150kCl。
圖3.6是2SK184 GR檔的傳輸特性。GR檔器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范圍。那么工作點ID =lmA時伴隨著的VGS值分散在-0.4～-O.1V的范圍。
因此，工D =lmA時的VGS的取這個范圍的中間值-0.25V。這樣，由式(3.3)得到V為：
VG=VS+VGS=2V+(-0.25V)=1.75V (3.17)由式(3.2)可以看出，柵極電位VG是電源電壓VDD=15V被柵極偏置電路Ri、R。分壓后的值，所以可以把R。的電壓降設定為1.75V，將R．的電壓降設定為13.25V。因此，Ri與R2之比設定為Ri：R2 =1. 75：13.25。
雙極晶體管中有基極電流流過，所以設定這種偏置電路（基極偏置電路）中的R，和R。值時必須使電流比基極電流大得多（10倍以上）。但是FET器件中沒有柵極電流，所以只要保證Ri與R2的比值，其電阻值多大都可以。
R．與R。的值只與電路的輸入阻抗Z．有關（后面將測定Zi），如果值太小，將會使得Zi變小，導致電路應用上的困難。所以應取值稍大些，這里取R2一20k0，Ri=150kCl。
按照式(3.3)，V的設定值是在LM2574N-5.0源極電位Vs上加上柵極一源極間電壓VGS的值。
圖3.6是2SK184 GR檔的傳輸特性。GR檔器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范圍。那么工作點ID =lmA時伴隨著的VGS值分散在-0.4～-O.1V的范圍。
因此，工D =lmA時的VGS的取這個范圍的中間值-0.25V。這樣，由式(3.3)得到V為：
VG=VS+VGS=2V+(-0.25V)=1.75V (3.17)由式(3.2)可以看出，柵極電位VG是電源電壓VDD=15V被柵極偏置電路Ri、R。分壓后的值，所以可以把R。的電壓降設定為1.75V，將R．的電壓降設定為13.25V。因此，Ri與R2之比設定為Ri：R2 =1. 75：13.25。
雙極晶體管中有基極電流流過，所以設定這種偏置電路（基極偏置電路）中的R，和R。值時必須使電流比基極電流大得多（10倍以上）。但是FET器件中沒有柵極電流，所以只要保證Ri與R2的比值，其電阻值多大都可以。
R．與R。的值只與電路的輸入阻抗Z．有關（后面將測定Zi），如果值太小，將會使得Zi變小，導致電路應用上的困難。所以應取值稍大些，這里取R2一20k0，Ri=150kCl。
圖3.6是2SK184 GR檔的傳輸特性。GR檔器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范圍。那么工作點ID =lmA時伴隨著的VGS值分散在-0.4～-O.1V的范圍。
因此，工D =lmA時的VGS的取這個范圍的中間值-0.25V。這樣，由式(3.3)得到V為：
VG=VS+VGS=2V+(-0.25V)=1.75V (3.17)由式(3.2)可以看出，柵極電位VG是電源電壓VDD=15V被柵極偏置電路Ri、R。分壓后的值，所以可以把R。的電壓降設定為1.75V，將R．的電壓降設定為13.25V。因此，Ri與R2之比設定為Ri：R2 =1. 75：13.25。
雙極晶體管中有基極電流流過，所以設定這種偏置電路（基極偏置電路）中的R，和R。值時必須使電流比基極電流大得多（10倍以上）。但是FET器件中沒有柵極電流，所以只要保證Ri與R2的比值，其電阻值多大都可以。
R．與R。的值只與電路的輸入阻抗Z．有關（后面將測定Zi），如果值太小，將會使得Zi變小，導致電路應用上的困難。所以應取值稍大些，這里取R2一20k0，Ri=150kCl。
相關技術資料- 8-16柵極偏壓電路的設計
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