確定RD和Rs
發(fā)布時(shí)間:2012/8/16 19:18:41 訪問次數(shù):1999
如式(3.11)所示，電路的放LM2574N-ADJ大倍數(shù)A，由RD與Rs之比決定。為了得到設(shè)計(jì)指所規(guī)定的AV=3，設(shè)定RD：Rs=3:1。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和ID的工作點(diǎn)值而變化，也受溫度的影響。
如果VGS變化，那么加在Rs上的電壓也會(huì)變化，結(jié)果使ID變化（嚴(yán)格地說，是由于ID隨溫度變化，而使VGS變化）。為了抵消VGS因溫度的變化，使漏極電流具有穩(wěn)定性，往往設(shè)定Rs上的直流電壓降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在這里設(shè)Rs上的電壓降為2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24數(shù)列中并沒有這個(gè)值的電阻，所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的設(shè)定值為A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率損耗的計(jì)算
下面計(jì)算FET中產(chǎn)生的功率損耗（這項(xiàng)損耗變?yōu)闊崃�，使FET發(fā)熱）。
FET漏極一源極間電壓VDS是漏極電位VD與源極電位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中產(chǎn)生的功耗PD等于加在FET上的電壓VDS與流過的電流ID之積，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，計(jì)算得到的值大大低于表1所列的容許損耗的最大額定值200mW。
知果RD值比較大，那么RD本身的電壓降變大，漏極電位將下降，當(dāng)輸出振幅大時(shí)，致使源極電位受到牽連(漏極一源極間電壓變?yōu)镺V)，輸出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影響到電源電壓，將限制輸出波形的上半周。因此，當(dāng)輸出最大振幅（本電路中為3VP-P）時(shí)，如果由于這種電壓關(guān)系導(dǎo)致波形被限制時(shí)，就必須改變Vs或者工D的設(shè)定值，重新計(jì)算RD和Rs的值。
最好將漏極電位VD設(shè)定在VDD與Vs的中點(diǎn)（在這個(gè)電路中得到最大的輸出振幅）。當(dāng)然如果能夠滿足最大輸出振幅的指標(biāo)要求，也就沒有必要拘泥于這點(diǎn)。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和ID的工作點(diǎn)值而變化，也受溫度的影響。
如果VGS變化，那么加在Rs上的電壓也會(huì)變化，結(jié)果使ID變化（嚴(yán)格地說，是由于ID隨溫度變化，而使VGS變化）。為了抵消VGS因溫度的變化，使漏極電流具有穩(wěn)定性，往往設(shè)定Rs上的直流電壓降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在這里設(shè)Rs上的電壓降為2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24數(shù)列中并沒有這個(gè)值的電阻，所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的設(shè)定值為A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率損耗的計(jì)算
下面計(jì)算FET中產(chǎn)生的功率損耗（這項(xiàng)損耗變?yōu)闊崃�，使FET發(fā)熱）。
FET漏極一源極間電壓VDS是漏極電位VD與源極電位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中產(chǎn)生的功耗PD等于加在FET上的電壓VDS與流過的電流ID之積，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，計(jì)算得到的值大大低于表1所列的容許損耗的最大額定值200mW。
知果RD值比較大，那么RD本身的電壓降變大，漏極電位將下降，當(dāng)輸出振幅大時(shí)，致使源極電位受到牽連(漏極一源極間電壓變?yōu)镺V)，輸出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影響到電源電壓，將限制輸出波形的上半周。因此，當(dāng)輸出最大振幅（本電路中為3VP-P）時(shí)，如果由于這種電壓關(guān)系導(dǎo)致波形被限制時(shí)，就必須改變Vs或者工D的設(shè)定值，重新計(jì)算RD和Rs的值。
最好將漏極電位VD設(shè)定在VDD與Vs的中點(diǎn)（在這個(gè)電路中得到最大的輸出振幅）。當(dāng)然如果能夠滿足最大輸出振幅的指標(biāo)要求，也就沒有必要拘泥于這點(diǎn)。
如式(3.11)所示，電路的放LM2574N-ADJ大倍數(shù)A，由RD與Rs之比決定。為了得到設(shè)計(jì)指所規(guī)定的AV=3，設(shè)定RD：Rs=3:1。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和ID的工作點(diǎn)值而變化，也受溫度的影響。
如果VGS變化，那么加在Rs上的電壓也會(huì)變化，結(jié)果使ID變化（嚴(yán)格地說，是由于ID隨溫度變化，而使VGS變化）。為了抵消VGS因溫度的變化，使漏極電流具有穩(wěn)定性，往往設(shè)定Rs上的直流電壓降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在這里設(shè)Rs上的電壓降為2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24數(shù)列中并沒有這個(gè)值的電阻，所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的設(shè)定值為A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率損耗的計(jì)算
下面計(jì)算FET中產(chǎn)生的功率損耗（這項(xiàng)損耗變?yōu)闊崃�，使FET發(fā)熱）。
FET漏極一源極間電壓VDS是漏極電位VD與源極電位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中產(chǎn)生的功耗PD等于加在FET上的電壓VDS與流過的電流ID之積，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，計(jì)算得到的值大大低于表1所列的容許損耗的最大額定值200mW。
知果RD值比較大，那么RD本身的電壓降變大，漏極電位將下降，當(dāng)輸出振幅大時(shí)，致使源極電位受到牽連(漏極一源極間電壓變?yōu)镺V)，輸出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影響到電源電壓，將限制輸出波形的上半周。因此，當(dāng)輸出最大振幅（本電路中為3VP-P）時(shí)，如果由于這種電壓關(guān)系導(dǎo)致波形被限制時(shí)，就必須改變Vs或者工D的設(shè)定值，重新計(jì)算RD和Rs的值。
最好將漏極電位VD設(shè)定在VDD與Vs的中點(diǎn)（在這個(gè)電路中得到最大的輸出振幅）。當(dāng)然如果能夠滿足最大輸出振幅的指標(biāo)要求，也就沒有必要拘泥于這點(diǎn)。
柵極一源極間電壓V GS因IDSS值和ID的工作點(diǎn)值而變化，也受溫度的影響。
如果VGS變化，那么加在Rs上的電壓也會(huì)變化，結(jié)果使ID變化（嚴(yán)格地說，是由于ID隨溫度變化，而使VGS變化）。為了抵消VGS因溫度的變化，使漏極電流具有穩(wěn)定性，往往設(shè)定Rs上的直流電壓降大于1V(使得VGS <IS．Rs)。
在這里設(shè)Rs上的電壓降為2V。由于ID =lmA，因此由式(3.4)得到
但是，E24數(shù)列中并沒有這個(gè)值的電阻，所以應(yīng)取數(shù)列中靠近的電阻值，即取RD一6.2k0。因此，增益的設(shè)定值為A。一3.1(=6.2 kfl÷2 kCl)。
功率損耗的計(jì)算
下面計(jì)算FET中產(chǎn)生的功率損耗（這項(xiàng)損耗變?yōu)闊崃�，使FET發(fā)熱）。
FET漏極一源極間電壓VDS是漏極電位VD與源極電位Vs之差，由式(3.5)得到
VDS=VD-VS=VDD-ID.RD-IS.Rs
=15V-lmA×6.2kQ,- 2V
-6.8V (3.15)
FET中產(chǎn)生的功耗PD等于加在FET上的電壓VDS與流過的電流ID之積，即
PD—VDS.ID一6.8V×ImA一6.8mW (3.16)
可以看出，計(jì)算得到的值大大低于表1所列的容許損耗的最大額定值200mW。
知果RD值比較大，那么RD本身的電壓降變大，漏極電位將下降，當(dāng)輸出振幅大時(shí)，致使源極電位受到牽連(漏極一源極間電壓變?yōu)镺V)，輸出波形的下半周被限幅。
相反，如果RD小，影響到電源電壓，將限制輸出波形的上半周。因此，當(dāng)輸出最大振幅（本電路中為3VP-P）時(shí)，如果由于這種電壓關(guān)系導(dǎo)致波形被限制時(shí)，就必須改變Vs或者工D的設(shè)定值，重新計(jì)算RD和Rs的值。
最好將漏極電位VD設(shè)定在VDD與Vs的中點(diǎn)（在這個(gè)電路中得到最大的輸出振幅）。當(dāng)然如果能夠滿足最大輸出振幅的指標(biāo)要求，也就沒有必要拘泥于這點(diǎn)。
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