圖4.17的電路中將源極跟隨器的TC4066BP源極電阻置換成了恒流電路（叫做恒流負(fù)載）。
    圖4.1所示的電路中，使用電阻負(fù)載(R。)的源極跟隨器像照片4.7那樣受到空載電流的制約，當(dāng)負(fù)載重時輸出波形的負(fù)半周被限幅。如圖4.6所示，認(rèn)為這個限幅的電壓值就是源極電阻與負(fù)載并聯(lián)接續(xù)時的電壓降。
    圖4.17的電路在源極采用了恒流電路，所以可以認(rèn)為源極電阻是無窮大（恒流電路的阻抗為無窮大），因此源極電阻與負(fù)載的并聯(lián)值就是負(fù)載值。就是說，如果空載電流是相同的，那么恒流負(fù)載源極跟隨器的輸出電壓可以大于電阻負(fù)載源極跟隨器的輸出電壓。
    在設(shè)計電阻負(fù)載源極跟隨器時，是從FET的傳輸特性中求得VGS，計算源極電阻。但是在圖4.17的電路中，恒流負(fù)載是利用JFET的IDSS的恒流電路，所以確定源極電流的設(shè)定值時，只要選擇其IDSS與設(shè)定的恒流電路的源極電流相等的JFET就可似了。
    因此，即使不知道這個電路中Tr．的VG。值也能夠進(jìn)行設(shè)計。但是必須確認(rèn)VGS為多大時才能夠工作。圖4.17的電路中，根據(jù)Tr．、Tr2的IDSS的分散性，取值范圍應(yīng)該為-1～-0.1V(根據(jù)2SK371BL，V的傳輸特性)。
    在設(shè)計上應(yīng)該注意的是對于Tr。的FET來說，要選擇其IDSS比Tri小的型號或者IDSS檔次。其目的是源極跟隨器工作時JFET的源極電流設(shè)定值低于IDSS。

              
    在這個電路中，Tr．采用IDss一8～30mA的2SK371BL，V（東芝），Trz采用IDSS=2.6～6.5mA的2SK330GR。
    Tri的柵極偏置電路采用正負(fù)二電源(±5V)，將柵極電位設(shè)定為OV(GND電平)，所以只需要一個lMfl的電阻。
    如果恒流電路使用JFET，由于源極電流的設(shè)定值就是恒流電路中JFET的IDSS，所以分散范圍比較大(在圖4.17中為2.6～6.5mA)。
    如果希望準(zhǔn)確地設(shè)定源極電流，電路就變得稍微復(fù)雜。不過可以使用圖4.18所示的晶體管恒流電路。在這種場合由于Tr．也采用JFET，所以恒流電路的設(shè)定電流（-Tr1的源極電流）必須設(shè)定為低于Tri的IDSS值。