如果把圖10.1中的各開(kāi)關(guān)換成使用SN74HC393N晶體管或者M(jìn)OSFET的開(kāi)關(guān)電路，就成為正轉(zhuǎn)／逆轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。一般來(lái)說(shuō)，直流電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路是用單一電源工作的，經(jīng)常采用圖10.l(b)所示的H電橋電路。H電橋電路作為驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)用電路有的已經(jīng)lC化。本章要設(shè)計(jì)的電動(dòng)機(jī)電路也將采用H電橋電路。從學(xué)習(xí)、掌握MOSFET開(kāi)關(guān)的意義出發(fā)，H電橋的各開(kāi)關(guān)都將采用MOSFET。
   圖10.2是用MOSFET取代H電橋各開(kāi)關(guān)的電路。H電橋的Sl和S。用P溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換，S2和S。用N溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換。

                   
    功率MOSFET幾乎都是增強(qiáng)型器件。N溝增強(qiáng)型器件當(dāng)柵極電位比源極電位高時(shí)器件導(dǎo)通。P溝增強(qiáng)型器件當(dāng)柵極電位比源極電位低時(shí)導(dǎo)通。因此當(dāng)采用源極接地型開(kāi)關(guān)電路時(shí)，如圖10.2所示GND -側(cè)使用N溝MOSFET，電源一側(cè)使用P溝器件。但是，P溝功率MOSFET的品種少（價(jià)格也高），電學(xué)性能——導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)速度等也不如N溝器件。所以在本章中，如圖10.3所示，S1～S4的所有開(kāi)關(guān)完全采用N溝MOSFET。但是Sl和S3采用源極跟隨器型開(kāi)關(guān)電路，Sz和S4采用源極接地型開(kāi)關(guān)電路（因?yàn)镹溝器件電流流動(dòng)的方向是漏極一源極，所有Sl和S3必須采用源極跟隨器型）。