FET中內(nèi)藏續(xù)流二極管
發(fā)布時(shí)間:2012/8/22 20:44:50 訪問(wèn)次數(shù):2177
對(duì)于線(xiàn)圈或電動(dòng)機(jī)這樣的電AT24C04B-PU感性負(fù)載來(lái)說(shuō),當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓突然斷開(kāi)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的反電動(dòng)勢(shì)(參見(jiàn)照片8.12)。所以一般的電路中為了防止電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)燒壞開(kāi)關(guān)器件,在H電橋各開(kāi)關(guān)中必須接續(xù)流二極管——吸收反電動(dòng)勢(shì)的二極管。在本電路中當(dāng)然也要求設(shè)計(jì)續(xù)流二極管。
大部分開(kāi)關(guān)用MOSFET中的二極管內(nèi)藏在漏極一源極之間。如圖10.9所示,2SK612也是將二極管內(nèi)藏在漏極一源極之間。由圖10. 9(b)看出這個(gè)二極管的特性完全能夠滿(mǎn)足本電路對(duì)于續(xù)流二極管的要求(15V/1A電動(dòng)機(jī)用的續(xù)流二極管正向電流必須大于1A)。本設(shè)計(jì)電路中的續(xù)流二極管不是外接的,而是將2SK612內(nèi)藏的二極管作為續(xù)流二極管使用的。
一般的雙擴(kuò)散型功率放大用MOS-FET的結(jié)構(gòu)中,在漏極一源極之間內(nèi)藏著一個(gè)等效的二極管。順便指出,如圖10.10所示P溝MOSFET中二極管的接續(xù)方向是相反的。這個(gè)內(nèi)藏二極管的正向電流和反向擊穿電壓與MOS-FET的漏極電流的絕對(duì)最大額定值、漏極一源極間電壓的絕對(duì)最大額定值相同。通常就把這個(gè)二極管作為續(xù)流二極管使用。當(dāng)這個(gè)二極管的電流容量不足時(shí),再在漏極一源極間外接二極管。C。是H電橋電源的去耦電容,采用lOruFl25V的電解電容器(只要容量大于l)uF,耐壓在15V以上即可)。
對(duì)于線(xiàn)圈或電動(dòng)機(jī)這樣的電AT24C04B-PU感性負(fù)載來(lái)說(shuō),當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓突然斷開(kāi)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的反電動(dòng)勢(shì)(參見(jiàn)照片8.12)。所以一般的電路中為了防止電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)燒壞開(kāi)關(guān)器件,在H電橋各開(kāi)關(guān)中必須接續(xù)流二極管——吸收反電動(dòng)勢(shì)的二極管。在本電路中當(dāng)然也要求設(shè)計(jì)續(xù)流二極管。
大部分開(kāi)關(guān)用MOSFET中的二極管內(nèi)藏在漏極一源極之間。如圖10.9所示,2SK612也是將二極管內(nèi)藏在漏極一源極之間。由圖10. 9(b)看出這個(gè)二極管的特性完全能夠滿(mǎn)足本電路對(duì)于續(xù)流二極管的要求(15V/1A電動(dòng)機(jī)用的續(xù)流二極管正向電流必須大于1A)。本設(shè)計(jì)電路中的續(xù)流二極管不是外接的,而是將2SK612內(nèi)藏的二極管作為續(xù)流二極管使用的。
一般的雙擴(kuò)散型功率放大用MOS-FET的結(jié)構(gòu)中,在漏極一源極之間內(nèi)藏著一個(gè)等效的二極管。順便指出,如圖10.10所示P溝MOSFET中二極管的接續(xù)方向是相反的。這個(gè)內(nèi)藏二極管的正向電流和反向擊穿電壓與MOS-FET的漏極電流的絕對(duì)最大額定值、漏極一源極間電壓的絕對(duì)最大額定值相同。通常就把這個(gè)二極管作為續(xù)流二極管使用。當(dāng)這個(gè)二極管的電流容量不足時(shí),再在漏極一源極間外接二極管。C。是H電橋電源的去耦電容,采用lOruFl25V的電解電容器(只要容量大于l)uF,耐壓在15V以上即可)。
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