采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的電路
發(fā)布時間:2012/8/23 19:45:50 訪問次數(shù):2650
圖10.16是采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的源極ADC0844CN接地開關(guān)電路構(gòu)成的H電橋。如果Tri和Tr3采用P溝MOSFET，驅(qū)動電壓沒右必要像圖10.7那樣高于電源電壓，電路就變得非常簡單。但是N溝FET與P溝FET為器件導(dǎo)通所要求的驅(qū)動電壓的極性是相反的(N溝器件柵極電位為H時導(dǎo)通，P溝器件為L時導(dǎo)通)，所以圖10. 16的電路與圖10.7的電路中驅(qū)動電路的構(gòu)成不同。
表10.3示出圖10.16電路在各模式中MOSFET的柵極電位。為了確定Tri和Tr3的柵極驅(qū)動電壓，必須進(jìn)行NAND運(yùn)算（圖10.7的電路中是進(jìn)行NOR運(yùn)算）。
圖10.16的電路中，是將2個內(nèi)藏電阻晶體管縱向排列連接起來（一方的發(fā)射極與另一方的集電極連接）進(jìn)行NAND運(yùn)算的。這樣的話，只有兩個晶體管都導(dǎo)通（兩個的輸入都是H電平）時輸出才為I。電平，所以就是NAND運(yùn)算。
P溝MOSFET的選擇方法與圖10.7電路N溝MOSFET的情況完全相同。圖10.16的電路中選用VDSS=-100V，ID的絕對最大額定值為2A的2SJ128(NEC)。
圖10.16是采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的源極ADC0844CN接地開關(guān)電路構(gòu)成的H電橋。如果Tri和Tr3采用P溝MOSFET，驅(qū)動電壓沒右必要像圖10.7那樣高于電源電壓，電路就變得非常簡單。但是N溝FET與P溝FET為器件導(dǎo)通所要求的驅(qū)動電壓的極性是相反的(N溝器件柵極電位為H時導(dǎo)通，P溝器件為L時導(dǎo)通)，所以圖10. 16的電路與圖10.7的電路中驅(qū)動電路的構(gòu)成不同。
表10.3示出圖10.16電路在各模式中MOSFET的柵極電位。為了確定Tri和Tr3的柵極驅(qū)動電壓，必須進(jìn)行NAND運(yùn)算（圖10.7的電路中是進(jìn)行NOR運(yùn)算）。
圖10.16的電路中，是將2個內(nèi)藏電阻晶體管縱向排列連接起來（一方的發(fā)射極與另一方的集電極連接）進(jìn)行NAND運(yùn)算的。這樣的話，只有兩個晶體管都導(dǎo)通（兩個的輸入都是H電平）時輸出才為I。電平，所以就是NAND運(yùn)算。
P溝MOSFET的選擇方法與圖10.7電路N溝MOSFET的情況完全相同。圖10.16的電路中選用VDSS=-100V，ID的絕對最大額定值為2A的2SJ128(NEC)。
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