三維立體封裝實(shí)現(xiàn)后做什么
發(fā)布時間:2012/9/30 19:36:35 訪問次數(shù):749
三維立體封裝實(shí)現(xiàn)后似乎AD210BN表明硅芯片技術(shù)已到了盡頭,然而,應(yīng)用領(lǐng)域的微型化、多功能化以及智能化是人類永遠(yuǎn)的追求目標(biāo)。科技人員一方面繼續(xù)加強(qiáng)對硅芯片技術(shù)的深化研究,一項(xiàng)稱為SOI (Silicon-on-Insulator)的技術(shù)已嶄露頭角。SOI技術(shù)是一項(xiàng)既完全繼承了硅材料價廉、光刻技術(shù)成熟的優(yōu)勢,同時又在原來基礎(chǔ)上取得突破性進(jìn)展的技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)當(dāng)今硅芯片不僅在二維方向的集成,而且向三維集成發(fā)展。三維集成電路的前景是非常誘人的,新型IC將會速度更快、功能更強(qiáng)、集成度更高,這也意味著I/O數(shù)量會更多,并將給微電子裝聯(lián)技術(shù)帶來更大的挑戰(zhàn)。另一方面,更值得一提的是,20世紀(jì)末,納米技術(shù)及其研究成果已在科技界和軍事界引起了巨大的震動,納米電子器件出現(xiàn),將像歷史上出現(xiàn)晶體管和IC -樣,給電子裝聯(lián)技術(shù)帶來更大的變革,納米技術(shù)已經(jīng)開辟了高新技術(shù)競爭的又一戰(zhàn)場。此外,在高分子聚合物領(lǐng)域,眾多的科技工作者正在積極開展導(dǎo)電高分子材料的研究,并且取得了良好的效果,一旦進(jìn)入實(shí)用化階段,這將會使當(dāng)前的錫焊裝聯(lián)技術(shù)發(fā)生天翻地覆的變化,焊接缺陷、環(huán)境污染和工藝復(fù)雜將得到徹底的改變?萍碱I(lǐng)域是一個整體,一門學(xué)科的突破往往需要眾多學(xué)科的支持與配合,信息產(chǎn)業(yè)將承擔(dān)著火車頭的作用,牽引著各門學(xué)科永遠(yuǎn)向前!
可以預(yù)測,21世紀(jì)電子組裝技術(shù)將呈現(xiàn)多元化的局面。SMT組裝仍是其發(fā)展的主流,即使在已經(jīng)出現(xiàn)的微組裝技術(shù)中,它仍是一項(xiàng)基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)技術(shù)。在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,通孔元器件再流焊工藝將會逐步取代波峰焊工藝。以MCM、3D為核心的MPT將不僅在軍事電子、航天航空領(lǐng)域廣泛采用,而且將會出現(xiàn)廉價的MCM用于民用電子設(shè)備。21世紀(jì)20年后將出現(xiàn)以納米電子器件為中心的微電子封裝技術(shù)和裝聯(lián)技術(shù),其發(fā)展史將翻開新的篇章。
可以預(yù)測,21世紀(jì)電子組裝技術(shù)將呈現(xiàn)多元化的局面。SMT組裝仍是其發(fā)展的主流,即使在已經(jīng)出現(xiàn)的微組裝技術(shù)中,它仍是一項(xiàng)基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)技術(shù)。在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,通孔元器件再流焊工藝將會逐步取代波峰焊工藝。以MCM、3D為核心的MPT將不僅在軍事電子、航天航空領(lǐng)域廣泛采用,而且將會出現(xiàn)廉價的MCM用于民用電子設(shè)備。21世紀(jì)20年后將出現(xiàn)以納米電子器件為中心的微電子封裝技術(shù)和裝聯(lián)技術(shù),其發(fā)展史將翻開新的篇章。
三維立體封裝實(shí)現(xiàn)后似乎AD210BN表明硅芯片技術(shù)已到了盡頭,然而,應(yīng)用領(lǐng)域的微型化、多功能化以及智能化是人類永遠(yuǎn)的追求目標(biāo)?萍既藛T一方面繼續(xù)加強(qiáng)對硅芯片技術(shù)的深化研究,一項(xiàng)稱為SOI (Silicon-on-Insulator)的技術(shù)已嶄露頭角。SOI技術(shù)是一項(xiàng)既完全繼承了硅材料價廉、光刻技術(shù)成熟的優(yōu)勢,同時又在原來基礎(chǔ)上取得突破性進(jìn)展的技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)當(dāng)今硅芯片不僅在二維方向的集成,而且向三維集成發(fā)展。三維集成電路的前景是非常誘人的,新型IC將會速度更快、功能更強(qiáng)、集成度更高,這也意味著I/O數(shù)量會更多,并將給微電子裝聯(lián)技術(shù)帶來更大的挑戰(zhàn)。另一方面,更值得一提的是,20世紀(jì)末,納米技術(shù)及其研究成果已在科技界和軍事界引起了巨大的震動,納米電子器件出現(xiàn),將像歷史上出現(xiàn)晶體管和IC -樣,給電子裝聯(lián)技術(shù)帶來更大的變革,納米技術(shù)已經(jīng)開辟了高新技術(shù)競爭的又一戰(zhàn)場。此外,在高分子聚合物領(lǐng)域,眾多的科技工作者正在積極開展導(dǎo)電高分子材料的研究,并且取得了良好的效果,一旦進(jìn)入實(shí)用化階段,這將會使當(dāng)前的錫焊裝聯(lián)技術(shù)發(fā)生天翻地覆的變化,焊接缺陷、環(huán)境污染和工藝復(fù)雜將得到徹底的改變。科技領(lǐng)域是一個整體,一門學(xué)科的突破往往需要眾多學(xué)科的支持與配合,信息產(chǎn)業(yè)將承擔(dān)著火車頭的作用,牽引著各門學(xué)科永遠(yuǎn)向前!
可以預(yù)測,21世紀(jì)電子組裝技術(shù)將呈現(xiàn)多元化的局面。SMT組裝仍是其發(fā)展的主流,即使在已經(jīng)出現(xiàn)的微組裝技術(shù)中,它仍是一項(xiàng)基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)技術(shù)。在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,通孔元器件再流焊工藝將會逐步取代波峰焊工藝。以MCM、3D為核心的MPT將不僅在軍事電子、航天航空領(lǐng)域廣泛采用,而且將會出現(xiàn)廉價的MCM用于民用電子設(shè)備。21世紀(jì)20年后將出現(xiàn)以納米電子器件為中心的微電子封裝技術(shù)和裝聯(lián)技術(shù),其發(fā)展史將翻開新的篇章。
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