低壓差穩(wěn)壓器
發(fā)布時間:2012/11/21 9:01:43 訪問次數(shù):679
低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓AP5056器比較.低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器相比,主要有以下優(yōu)點。
(1)穩(wěn)壓性能好。
(2)外圍電路簡單,使用方便。
(3)成本低廉。
(4)低噪聲(可達(dá)幾十微伏,無開關(guān)噪聲),低紋波(電源抑制比可達(dá)60~70dB),這對于無線電和通信設(shè)備至關(guān)重要。
(5)低靜態(tài)電流(超低壓差穩(wěn)壓器的靜態(tài)電流可低至幾微安至幾十微安),低功耗,當(dāng)輸入電壓與輸出電壓接近時可達(dá)到裉高的效率。
(6)具有快速響應(yīng)能力,能對負(fù)載或輸入電壓的變化做出快速反應(yīng)。例如常見的輸出正電壓的78××系列和輸出負(fù)電壓的79××系列集成電路穩(wěn)壓器。
標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器比其他類型穩(wěn)壓器具有較大的壓差、較大的功耗和較低的效率。
(1)準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器。準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器通常使用達(dá)林頓復(fù)合管結(jié)構(gòu),以便實現(xiàn)由一只NPN三極管和一只PNP三極管組成的調(diào)整管。這種復(fù)合管的壓降通常大約為1V,比低壓差穩(wěn)壓器高但是比標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器低。
(2)低壓差穩(wěn)壓器。低壓差穩(wěn)壓器通常壓差在100~200mV范圍。
(3)超低壓差(ULDO)穩(wěn)壓器。ULDO穩(wěn)壓器為超低壓差穩(wěn)壓器,比低壓差穩(wěn)壓器有更低的壓差。
超低壓差穩(wěn)壓器.低壓差穩(wěn)壓器電路架構(gòu)簡單,外部組件很少且簡單。一般的低壓差穩(wěn)壓器架構(gòu)為:一個誤差放大器驅(qū)動一個P型MOSFET,利用反饋電位與參考電位做比較,使輸出電壓保持穩(wěn)定。
當(dāng)系統(tǒng)中需求的是超低壓差、低輸出電壓(0.8~1.8V)、高輸出電流時,用傳統(tǒng)單電源、P-MOSFET的架構(gòu)來設(shè)計低壓差穩(wěn)壓器就變得相當(dāng)困難。因此出現(xiàn)了超低壓差穩(wěn)壓器,它采用N-MOSFET來當(dāng)驅(qū)動器,以相同大小的驅(qū)動器來說,N-MOSFET的驅(qū)動特性一般未說是優(yōu)于P-MOSFET的。但是,在低輸入電壓時,N-MOSFET的驅(qū)動特性又顯不足,且可能不適合整個集成電路的工作電壓。為此,采用了另一組電源輸入來提供集成電路穩(wěn)定的工作電壓,并且大大提升N-MOSFET的驅(qū)動能力。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓輸入轉(zhuǎn)換低電壓輸出,并且能夠具有大的輸出電流。
低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓AP5056器比較.低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器相比,主要有以下優(yōu)點。
(1)穩(wěn)壓性能好。
(2)外圍電路簡單,使用方便。
(3)成本低廉。
(4)低噪聲(可達(dá)幾十微伏,無開關(guān)噪聲),低紋波(電源抑制比可達(dá)60~70dB),這對于無線電和通信設(shè)備至關(guān)重要。
(5)低靜態(tài)電流(超低壓差穩(wěn)壓器的靜態(tài)電流可低至幾微安至幾十微安),低功耗,當(dāng)輸入電壓與輸出電壓接近時可達(dá)到裉高的效率。
(6)具有快速響應(yīng)能力,能對負(fù)載或輸入電壓的變化做出快速反應(yīng)。例如常見的輸出正電壓的78××系列和輸出負(fù)電壓的79××系列集成電路穩(wěn)壓器。
標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器比其他類型穩(wěn)壓器具有較大的壓差、較大的功耗和較低的效率。
(1)準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器。準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器通常使用達(dá)林頓復(fù)合管結(jié)構(gòu),以便實現(xiàn)由一只NPN三極管和一只PNP三極管組成的調(diào)整管。這種復(fù)合管的壓降通常大約為1V,比低壓差穩(wěn)壓器高但是比標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器低。
(2)低壓差穩(wěn)壓器。低壓差穩(wěn)壓器通常壓差在100~200mV范圍。
(3)超低壓差(ULDO)穩(wěn)壓器。ULDO穩(wěn)壓器為超低壓差穩(wěn)壓器,比低壓差穩(wěn)壓器有更低的壓差。
超低壓差穩(wěn)壓器.低壓差穩(wěn)壓器電路架構(gòu)簡單,外部組件很少且簡單。一般的低壓差穩(wěn)壓器架構(gòu)為:一個誤差放大器驅(qū)動一個P型MOSFET,利用反饋電位與參考電位做比較,使輸出電壓保持穩(wěn)定。
當(dāng)系統(tǒng)中需求的是超低壓差、低輸出電壓(0.8~1.8V)、高輸出電流時,用傳統(tǒng)單電源、P-MOSFET的架構(gòu)來設(shè)計低壓差穩(wěn)壓器就變得相當(dāng)困難。因此出現(xiàn)了超低壓差穩(wěn)壓器,它采用N-MOSFET來當(dāng)驅(qū)動器,以相同大小的驅(qū)動器來說,N-MOSFET的驅(qū)動特性一般未說是優(yōu)于P-MOSFET的。但是,在低輸入電壓時,N-MOSFET的驅(qū)動特性又顯不足,且可能不適合整個集成電路的工作電壓。為此,采用了另一組電源輸入來提供集成電路穩(wěn)定的工作電壓,并且大大提升N-MOSFET的驅(qū)動能力。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓輸入轉(zhuǎn)換低電壓輸出,并且能夠具有大的輸出電流。
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