晶閘管的動態(tài)參數(shù)
發(fā)布時間:2013/5/24 20:19:02 訪問次數(shù):1326
晶閘管的主要參數(shù)除電壓和E2E-X10MF1-Z電流參數(shù)外，還有動態(tài)參數(shù)，如開通時間tgt.關(guān)斷時間tq.斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt和通態(tài)電流臨界上升率d//dt等。
(1)開通時間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過程中，從門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時間稱為晶閘管開通時間tgt。開通時間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開通前的電壓、開通后的電流以及負(fù)載電路的時間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時間tq。在額定的結(jié)溫時，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時間稱為晶閘管關(guān)斷時間tq。晶閘管關(guān)斷時間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過大，即使此時晶閘管陽極電壓幅值并未超過斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號開通時，晶閘管能夠承受而不會導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
(1)開通時間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過程中，從門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時間稱為晶閘管開通時間tgt。開通時間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開通前的電壓、開通后的電流以及負(fù)載電路的時間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時間tq。在額定的結(jié)溫時，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時間稱為晶閘管關(guān)斷時間tq。晶閘管關(guān)斷時間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過大，即使此時晶閘管陽極電壓幅值并未超過斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號開通時，晶閘管能夠承受而不會導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
晶閘管的主要參數(shù)除電壓和E2E-X10MF1-Z電流參數(shù)外，還有動態(tài)參數(shù)，如開通時間tgt.關(guān)斷時間tq.斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt和通態(tài)電流臨界上升率d//dt等。
(1)開通時間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過程中，從門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時間稱為晶閘管開通時間tgt。開通時間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開通前的電壓、開通后的電流以及負(fù)載電路的時間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時間tq。在額定的結(jié)溫時，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時間稱為晶閘管關(guān)斷時間tq。晶閘管關(guān)斷時間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過大，即使此時晶閘管陽極電壓幅值并未超過斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號開通時，晶閘管能夠承受而不會導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
(1)開通時間tgt。在室溫和規(guī)定的門極觸發(fā)信號作用下，使晶閘管從斷態(tài)變成通態(tài)的過程中，從門極電流階躍時刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時間稱為晶閘管開通時間tgt。開通時間與門板觸發(fā)脈沖的前沿上升的陡度與幅值的大小、器件的結(jié)溫、開通前的電壓、開通后的電流以及負(fù)載電路的時間常數(shù)有關(guān)。
(2)關(guān)斷時間tq。在額定的結(jié)溫時，晶閘管從切斷正向電流到恢復(fù)正向阻斷能力這段時間稱為晶閘管關(guān)斷時間tq。晶閘管關(guān)斷時間tq與管子的結(jié)溫、關(guān)斷前陽極電流及所加的反向電壓的大小有關(guān)。
(3)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt是指在額定的環(huán)境溫度和門極開路的情況下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。如果該du/dt數(shù)值過大，即使此時晶閘管陽極電壓幅值并未超過斷態(tài)正向轉(zhuǎn)折電壓，晶閘管也可能造成誤導(dǎo)通。使用中，實(shí)際電壓的上升率必須低于此臨界值。
(4)通態(tài)電流臨界上升率d//dt。通態(tài)電流臨界上升率d∥dt是指在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)信號開通時，晶閘管能夠承受而不會導(dǎo)致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。
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- 相關(guān)IC型號
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