功率MOSFET是一個近似E6C2-CWZ5G理想的開關(guān)，具有很高的增益和極快的開關(guān)速度。這是由于它是單極型器件，依靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，與關(guān)斷時間相聯(lián)系的儲存時間大大減小。它的開通與關(guān)斷只受到極間電容影響，與極間電容的充放電情況有關(guān)。
    功率MOSFET內(nèi)寄生著兩種類型的電容：一種是與MOS結(jié)構(gòu)有關(guān)的MOS電容，如柵源電容CGS和柵漏電容CGD；另一種是與PN結(jié)有關(guān)的電容，如漏源電容CDS。功率MOSFET極間電容的等效電路如圖8-4所示。輸入電容G。。、輸出電容Coss和反饋電容Crs。是應(yīng)用中常用的參數(shù)，它們與極間電容的關(guān)系定義為
    Ciss= CGS +CGD;Coss=CDS +CGD;Crss= CGD
    功率MOSFET的開關(guān)過程的電壓波形如圖8-5所示。開通時間ton分為延時時間td和上升時間tr兩部分，to。與功率MOSFET的開啟電壓GS(UO和輸入電容ci。。有關(guān)，并受信號源的上升時間和內(nèi)阻的影響。關(guān)斷時間toff可分為儲存時間ts和下降時間tf兩部分，toff則由功率MOSFET漏源間電客CDS和負載電阻決定。通常功率MOSFET的開關(guān)時間為lO～lOOns，而雙極型器件的開關(guān)時間則以微秒計，甚至達到幾十微秒。
    圖8-4功率MOSFET極間電容的等效電路    圖8-5功率MOSFET開關(guān)過程的電壓波形