哼聲環(huán)路與非平衡輸入級(jí)
發(fā)布時(shí)間:2013/7/26 19:59:38 訪問次數(shù):638
對(duì)哼聲環(huán)路中流動(dòng)的噪聲電流，非平衡輸入級(jí)是相當(dāng)敏感的。然而，KIA7045AP即使我們不斷開哼聲環(huán)路，我們也可以采取措施來減輕這一問題。
· 由V=IR可知，哼聲電壓與OV信號(hào)導(dǎo)線的電阻成正比，所以，粗大的OV信號(hào)導(dǎo)線可以減小哼聲電壓。
·如果放大器的OV信號(hào)地被抬高（相對(duì)于放大器的地線），那么，哼聲電流所產(chǎn)生的電壓，大部分會(huì)落在地線抬高電阻兩端，而不是落在信號(hào)導(dǎo)線兩端。采用這項(xiàng)抬高地線技術(shù)的假設(shè)前提是，放大器只放大那些OV信號(hào)地線與所用輸入端之間的差別信號(hào)。如果OV信號(hào)地線的接線安排存在間題，就會(huì)導(dǎo)致這一關(guān)鍵條件不成立（OV信號(hào)地線被抬高后，將會(huì)把電源變壓器的高頻不平衡問題暴露出來，因此，實(shí)用的地線抬高電阻取值在100Q以下）。（譯注：這個(gè)電源變壓器的高頻不平衡問題，是指電源變壓器因寄生電容的存在，造成初級(jí)側(cè)兩條接線對(duì)地高頻阻抗的不一致）
·在低頻段，電源變壓器的不平衡不會(huì)帶來什么問題，相應(yīng)的地線抬高電阻可以取較大的值。因此，典型的做法是，使用100Q電阻作為地線抬高電阻，并在其兩端并聯(lián)一只lOnF電容。
· 有些放大器設(shè)計(jì)將上述概念進(jìn)一步引申，把信號(hào)電纜視作是射頻技術(shù)應(yīng)用上的傳輸線。為此，試圖采用正確的射頻特性阻抗來給這些傳輸線的屏蔽層作端接處理（射頻同軸電纜的典型特性阻抗是50Q，而雙絞線對(duì)地的典型特性阻抗110Q/2）。
· 由V=IR可知，哼聲電壓與OV信號(hào)導(dǎo)線的電阻成正比，所以，粗大的OV信號(hào)導(dǎo)線可以減小哼聲電壓。
·如果放大器的OV信號(hào)地被抬高（相對(duì)于放大器的地線），那么，哼聲電流所產(chǎn)生的電壓，大部分會(huì)落在地線抬高電阻兩端，而不是落在信號(hào)導(dǎo)線兩端。采用這項(xiàng)抬高地線技術(shù)的假設(shè)前提是，放大器只放大那些OV信號(hào)地線與所用輸入端之間的差別信號(hào)。如果OV信號(hào)地線的接線安排存在間題，就會(huì)導(dǎo)致這一關(guān)鍵條件不成立（OV信號(hào)地線被抬高后，將會(huì)把電源變壓器的高頻不平衡問題暴露出來，因此，實(shí)用的地線抬高電阻取值在100Q以下）。（譯注：這個(gè)電源變壓器的高頻不平衡問題，是指電源變壓器因寄生電容的存在，造成初級(jí)側(cè)兩條接線對(duì)地高頻阻抗的不一致）
·在低頻段，電源變壓器的不平衡不會(huì)帶來什么問題，相應(yīng)的地線抬高電阻可以取較大的值。因此，典型的做法是，使用100Q電阻作為地線抬高電阻，并在其兩端并聯(lián)一只lOnF電容。
· 有些放大器設(shè)計(jì)將上述概念進(jìn)一步引申，把信號(hào)電纜視作是射頻技術(shù)應(yīng)用上的傳輸線。為此，試圖采用正確的射頻特性阻抗來給這些傳輸線的屏蔽層作端接處理（射頻同軸電纜的典型特性阻抗是50Q，而雙絞線對(duì)地的典型特性阻抗110Q/2）。
對(duì)哼聲環(huán)路中流動(dòng)的噪聲電流，非平衡輸入級(jí)是相當(dāng)敏感的。然而，KIA7045AP即使我們不斷開哼聲環(huán)路，我們也可以采取措施來減輕這一問題。
· 由V=IR可知，哼聲電壓與OV信號(hào)導(dǎo)線的電阻成正比，所以，粗大的OV信號(hào)導(dǎo)線可以減小哼聲電壓。
·如果放大器的OV信號(hào)地被抬高（相對(duì)于放大器的地線），那么，哼聲電流所產(chǎn)生的電壓，大部分會(huì)落在地線抬高電阻兩端，而不是落在信號(hào)導(dǎo)線兩端。采用這項(xiàng)抬高地線技術(shù)的假設(shè)前提是，放大器只放大那些OV信號(hào)地線與所用輸入端之間的差別信號(hào)。如果OV信號(hào)地線的接線安排存在間題，就會(huì)導(dǎo)致這一關(guān)鍵條件不成立（OV信號(hào)地線被抬高后，將會(huì)把電源變壓器的高頻不平衡問題暴露出來，因此，實(shí)用的地線抬高電阻取值在100Q以下）。（譯注：這個(gè)電源變壓器的高頻不平衡問題，是指電源變壓器因寄生電容的存在，造成初級(jí)側(cè)兩條接線對(duì)地高頻阻抗的不一致）
·在低頻段，電源變壓器的不平衡不會(huì)帶來什么問題，相應(yīng)的地線抬高電阻可以取較大的值。因此，典型的做法是，使用100Q電阻作為地線抬高電阻，并在其兩端并聯(lián)一只lOnF電容。
· 有些放大器設(shè)計(jì)將上述概念進(jìn)一步引申，把信號(hào)電纜視作是射頻技術(shù)應(yīng)用上的傳輸線。為此，試圖采用正確的射頻特性阻抗來給這些傳輸線的屏蔽層作端接處理（射頻同軸電纜的典型特性阻抗是50Q，而雙絞線對(duì)地的典型特性阻抗110Q/2）。
· 由V=IR可知，哼聲電壓與OV信號(hào)導(dǎo)線的電阻成正比，所以，粗大的OV信號(hào)導(dǎo)線可以減小哼聲電壓。
·如果放大器的OV信號(hào)地被抬高（相對(duì)于放大器的地線），那么，哼聲電流所產(chǎn)生的電壓，大部分會(huì)落在地線抬高電阻兩端，而不是落在信號(hào)導(dǎo)線兩端。采用這項(xiàng)抬高地線技術(shù)的假設(shè)前提是，放大器只放大那些OV信號(hào)地線與所用輸入端之間的差別信號(hào)。如果OV信號(hào)地線的接線安排存在間題，就會(huì)導(dǎo)致這一關(guān)鍵條件不成立（OV信號(hào)地線被抬高后，將會(huì)把電源變壓器的高頻不平衡問題暴露出來，因此，實(shí)用的地線抬高電阻取值在100Q以下）。（譯注：這個(gè)電源變壓器的高頻不平衡問題，是指電源變壓器因寄生電容的存在，造成初級(jí)側(cè)兩條接線對(duì)地高頻阻抗的不一致）
·在低頻段，電源變壓器的不平衡不會(huì)帶來什么問題，相應(yīng)的地線抬高電阻可以取較大的值。因此，典型的做法是，使用100Q電阻作為地線抬高電阻，并在其兩端并聯(lián)一只lOnF電容。
· 有些放大器設(shè)計(jì)將上述概念進(jìn)一步引申，把信號(hào)電纜視作是射頻技術(shù)應(yīng)用上的傳輸線。為此，試圖采用正確的射頻特性阻抗來給這些傳輸線的屏蔽層作端接處理（射頻同軸電纜的典型特性阻抗是50Q，而雙絞線對(duì)地的典型特性阻抗110Q/2）。
上一篇：平衡式連接與哼聲環(huán)路
上一篇：理想的線路放大級(jí)
相關(guān)技術(shù)資料- 7-26哼聲環(huán)路與非平衡輸入級(jí)
熱門點(diǎn)擊
- 繞線電阻的電感與噪聲
- 功能框圖的特點(diǎn)及應(yīng)用
- 平板電容器
- 近乎完美的10kHz方波響應(yīng)
- 變壓器鐵芯的飽和
- 使用功率型陰極跟隨器，以DC耦合方式驅(qū)動(dòng)A2
- 實(shí)用頻譜式電平指示器
- 兩個(gè)最主要極點(diǎn)的時(shí)間常數(shù)之比，可取為環(huán)路增益
- 初次級(jí)之間隔離好、漏感性能較差的繞組幾何結(jié)構(gòu)
- HT電容及其電壓規(guī)格
推薦技術(shù)資料
- PCB嵌入式功率芯片封裝工作原理
- 莫仕儲(chǔ)能連接器技術(shù)結(jié)構(gòu)應(yīng)用詳情
- 新款 Snapdragon X
- Intel 18A（1.8nm
- 業(yè)界首款STM32配套無線物聯(lián)網(wǎng)模塊
- 2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大熱門看點(diǎn)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
