本征二極管
發(fā)布時(shí)間:2013/7/29 20:10:20 訪問次數(shù):1719
PN結(jié)二極管最吸引人的特點(diǎn)是其單向?qū)щ娦裕?A title=PC817 href=" http://www.a64472019.cn/PC8_S/PC817.html">PC817盡管實(shí)際上并不總是采用這種方式工作(如電流僅在一個(gè)方向上流動)。該器件是將兩種相反摻雜性質(zhì)的硅塊(即P型和N型)堆疊到一起,如圖2.5(a)所示。由于結(jié)上自由電子和空穴(空穴
與電子性質(zhì)相反,等效為“反電子”)的濃度梯度相對較高,電子和空穴從高濃度向低濃度區(qū)域擴(kuò)散,即電子從N區(qū)域遷移到P區(qū)域,而空穴從P區(qū)域遷移到N區(qū)域。這些遷移的電荷載流子使其原來位置成為離子(也就是,原來的N區(qū)域變成正電荷,而P區(qū)域成為負(fù)電荷),在它們原來的位置形成了耗盡層(也就是耗盡或者是拒絕電荷的區(qū)域)并形成電場,其引入的電流與擴(kuò)散形成的電流方向相反。因此當(dāng)器件處在平衡狀態(tài)(即沒有凈電流流過),擴(kuò)散電流和漂移電流應(yīng)該相等,但是方向相反。
圖2.5 (a) PN結(jié)二極管的物理輪廓圖;(b)PN結(jié)二極管的能帶圖
圖2.5(b)所示能帶圖在描述器件工作狀態(tài)的時(shí)候非常有用,因?yàn)槠浔硎玖似骷奈锢硖匦院碗妼W(xué)狀態(tài)的重要信息。下面來分析能帶圖,頂部的線表示導(dǎo)帶E.、的開始,在此之上的能級,電子作為電荷載流子可以自由移動,而底部的線表示價(jià)帶Ev的開始,在此之下的能級,電子緊緊限制在原子內(nèi)部。正是由于E。、之上的電子是電荷載流子,考慮到它們的互補(bǔ)特性,Ev之下的空穴也是電荷載流子。
對于給定昀材料,兩個(gè)能帶之間的能隙是恒定的,通常稱為帶隙( E13(,)。費(fèi)米能級E,位于導(dǎo)帶E。、和價(jià)帶Ev之間,是一個(gè)虛擬的能級,電荷載流子存在的概率為50%-對于增加或者減少的能級,概率會呈指數(shù)關(guān)系下降。但是這也不是說電荷存在在能級B上或者其周圍,因?yàn)槿魏坞姾啥疾豢梢栽趲吨写嬖,只有在帶隙之外才可以。同時(shí)這就意味著,電荷載流子在之上或者Ev之下出現(xiàn)的概率在距離EF較遠(yuǎn)的能級上將呈指數(shù)關(guān)系下降。因此如果EF接近E。,,則在能級Ec、之上發(fā)現(xiàn)電荷載流子的概率比在能級Ev之下發(fā)現(xiàn)電荷載流子的概率大,并且隨著能級升高概率呈指數(shù)關(guān)系下降,如圖2.5(b)所示。類似地,P型材料E,接近Ev,其空穴電荷載流子濃度在Ev能級下達(dá)到頂峰,在更低的能級上載流子濃度將呈指數(shù)關(guān)系下降。
PN結(jié)二極管最吸引人的特點(diǎn)是其單向?qū)щ娦裕?A title=PC817 href=" http://www.a64472019.cn/PC8_S/PC817.html">PC817盡管實(shí)際上并不總是采用這種方式工作(如電流僅在一個(gè)方向上流動)。該器件是將兩種相反摻雜性質(zhì)的硅塊(即P型和N型)堆疊到一起,如圖2.5(a)所示。由于結(jié)上自由電子和空穴(空穴
與電子性質(zhì)相反,等效為“反電子”)的濃度梯度相對較高,電子和空穴從高濃度向低濃度區(qū)域擴(kuò)散,即電子從N區(qū)域遷移到P區(qū)域,而空穴從P區(qū)域遷移到N區(qū)域。這些遷移的電荷載流子使其原來位置成為離子(也就是,原來的N區(qū)域變成正電荷,而P區(qū)域成為負(fù)電荷),在它們原來的位置形成了耗盡層(也就是耗盡或者是拒絕電荷的區(qū)域)并形成電場,其引入的電流與擴(kuò)散形成的電流方向相反。因此當(dāng)器件處在平衡狀態(tài)(即沒有凈電流流過),擴(kuò)散電流和漂移電流應(yīng)該相等,但是方向相反。
圖2.5 (a) PN結(jié)二極管的物理輪廓圖;(b)PN結(jié)二極管的能帶圖
圖2.5(b)所示能帶圖在描述器件工作狀態(tài)的時(shí)候非常有用,因?yàn)槠浔硎玖似骷奈锢硖匦院碗妼W(xué)狀態(tài)的重要信息。下面來分析能帶圖,頂部的線表示導(dǎo)帶E.、的開始,在此之上的能級,電子作為電荷載流子可以自由移動,而底部的線表示價(jià)帶Ev的開始,在此之下的能級,電子緊緊限制在原子內(nèi)部。正是由于E。、之上的電子是電荷載流子,考慮到它們的互補(bǔ)特性,Ev之下的空穴也是電荷載流子。
對于給定昀材料,兩個(gè)能帶之間的能隙是恒定的,通常稱為帶隙( E13(,)。費(fèi)米能級E,位于導(dǎo)帶E。、和價(jià)帶Ev之間,是一個(gè)虛擬的能級,電荷載流子存在的概率為50%-對于增加或者減少的能級,概率會呈指數(shù)關(guān)系下降。但是這也不是說電荷存在在能級B上或者其周圍,因?yàn)槿魏坞姾啥疾豢梢栽趲吨写嬖,只有在帶隙之外才可以。同時(shí)這就意味著,電荷載流子在之上或者Ev之下出現(xiàn)的概率在距離EF較遠(yuǎn)的能級上將呈指數(shù)關(guān)系下降。因此如果EF接近E。,,則在能級Ec、之上發(fā)現(xiàn)電荷載流子的概率比在能級Ev之下發(fā)現(xiàn)電荷載流子的概率大,并且隨著能級升高概率呈指數(shù)關(guān)系下降,如圖2.5(b)所示。類似地,P型材料E,接近Ev,其空穴電荷載流子濃度在Ev能級下達(dá)到頂峰,在更低的能級上載流子濃度將呈指數(shù)關(guān)系下降。
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