當(dāng)UoS=O時(shí)，如圖8-8 (a)所示。UCC3818ADR漏極與源極之間沒(méi)有原始的導(dǎo)電溝道，漏極電流/D=O。這是因?yàn)楫?dāng)UCS=O時(shí)，漏極和襯底及源極之間形成了兩個(gè)反向串聯(lián)的PN結(jié)，當(dāng)UDS加正向電壓時(shí)，漏極與襯底之間PN結(jié)反向偏置的緣故。

     當(dāng)Ucs>0時(shí)，如圖8-8 (b)所示。柵極與襯底之間產(chǎn)生了一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面、由柵極G指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)的作用是排斥P型襯底中的空穴而吸引電子到表面層。當(dāng)UGS增大到一定程度時(shí)，絕緣體和P型襯底的交界面附近積累了較多的電子，形成了N型薄層，稱為N型反型層。反型層使漏極與源極之間成為一條由電子構(gòu)成的導(dǎo)電溝道。當(dāng)加上漏一源電壓UDS之后，就會(huì)有電流fD流過(guò)溝遒。通常將剛剛出現(xiàn)漏極電流fD時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開(kāi)啟電壓，用UCS(th)表示

   當(dāng)UGS> UC。(th)時(shí)，UGS增大，電場(chǎng)增強(qiáng)，溝道變寬，溝道電阻減小，fD增大；反之，UGS減小，溝道變窄，溝道電阻增大，fD減小。所以改變Uos的大小，就可以控制溝道電阻的大小，從而控制電流的大小。

   當(dāng)N溝道增強(qiáng)型MOS管的UGS< UCS(th)時(shí)，反型層（導(dǎo)電溝道）就會(huì)消失，如/D=O;因此，只有當(dāng)Uos≥UaS(th)時(shí)，才能形成導(dǎo)電溝道，并產(chǎn)生電流fD。

   這種場(chǎng)效應(yīng)管在零偏置時(shí)，D、S極不導(dǎo)電，當(dāng)UGS> UGS(m)時(shí)，UGS增大、溝道電阻減小、導(dǎo)電性能增強(qiáng)的特性稱為增強(qiáng)型特性。