復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
發(fā)布時(shí)間:2014/1/22 21:42:26 訪問次數(shù):1176
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT或IGT）綜合了晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)。
(1) IGBT管的外形
根據(jù)封裝的不同，IGBT -般為模壓樹脂密封的三端單體封裝型， VS-60EPU06PBF到小型表面貼裝都已形成系列。IGBT管有三個(gè)電極：柵極G、集電極C和發(fā)射極E。常見的絕緣柵雙極晶體管實(shí)物外形如圖8-25所示。
圖8-25常見IGBT管外形
(2) IGBT管的結(jié)構(gòu)和特性
①IGBT管內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號(hào)如圖8-26所示。
圖8-26 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號(hào)
②IGBT管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特陛曲線如圖8-27所示。
(a)轉(zhuǎn)移特性曲線 (b)輸出特性曲線
圖8-27絕緣柵雙極晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT或IGT）綜合了晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)。
(1) IGBT管的外形
根據(jù)封裝的不同，IGBT -般為模壓樹脂密封的三端單體封裝型， VS-60EPU06PBF到小型表面貼裝都已形成系列。IGBT管有三個(gè)電極：柵極G、集電極C和發(fā)射極E。常見的絕緣柵雙極晶體管實(shí)物外形如圖8-25所示。
圖8-25常見IGBT管外形
(2) IGBT管的結(jié)構(gòu)和特性
①IGBT管內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號(hào)如圖8-26所示。
圖8-26 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號(hào)
②IGBT管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特陛曲線如圖8-27所示。
(a)轉(zhuǎn)移特性曲線 (b)輸出特性曲線
圖8-27絕緣柵雙極晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線
上一篇：貼片復(fù)合三極管
相關(guān)技術(shù)資料- 1-22復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- 1-8掌握實(shí)驗(yàn)課的學(xué)習(xí)規(guī)律
- 1-8模擬電路中的器件大都是非線性
- 相關(guān)IC型號(hào)
- VS-60EPU06PBF
- 暫無最新型號(hào)
熱門點(diǎn)擊
- 雙四選一數(shù)據(jù)選擇器
- 三極管引腳識(shí)別
- 優(yōu)先編碼器
- 二極管全波整流電路
- 拆焊的工具有哪些
- 雙蹤示波器YB4320/20A/40/60型
- 什么是OCL功率放大r路？它有何優(yōu)缺點(diǎn)
- 二極管均壓和均流電路
- 二倍壓整流電路
- 怎樣進(jìn)行放大電路的靜態(tài)調(diào)試
推薦技術(shù)資料
- Seeed Studio
- Seeed Studio紿我們的印象總是和繪畫脫離不了... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
