穿心電容器
發(fā)布時間:2014/4/11 21:49:26 訪問次數(shù):1053
表5-2表示小陶瓷電容器導(dǎo)線長度對諧振頻率的影響。為了保持高的諧振頻率,應(yīng)優(yōu)先ADM232AARW選用可用的最小值的電容器。
如果諧振頻率不能保持在關(guān)注的頻率之上,這種頻率通常是諧振頻率的許多倍,那么高于諧振頻率的電容器的阻抗則由電感確定。在這種條件下,任何電容值的電容器將有相同的高頻阻抗,較大的電容值可以提高低頻性能。在這種情況下,降低電容器高頻阻抗的唯一方法是減小電容器和導(dǎo)線的電感。
值得注意的是在串聯(lián)諧振頻率,電容器的阻抗(見圖5-2)實際上低于理想電容器的阻抗(沒有電感)。但是高于諧振頻率,電感會使阻抗隨頻率增大。
使用安裝在金屬機(jī)殼上或穿過機(jī)殼的穿心電容器,其諧振頻率會增大。圖5-6表示安裝在機(jī)殼或屏蔽體上的這樣一個電容器及其示意圖。穿心電容器是三端口器件,在導(dǎo)線和電容器殼間存在電容,兩個導(dǎo)線間沒有電容。因為沒有連接導(dǎo)線,穿心電容器接地電感很低。與信號導(dǎo)線串聯(lián)的引線電感實際上改進(jìn)了電容器的效率,這是因為它使穿心電容器變成了T型低通濾波器。圖5-7表示標(biāo)準(zhǔn)電容器和穿心電容器的等效電路,包括導(dǎo)線電感。因此,穿心電容器有非常好的高頻性能。圖5-8表示0.051uF穿心電容器和0.05 fiF標(biāo)準(zhǔn)電容器阻抗的頻率特性。圖中清楚地顯示穿心電容器改善(降低)了高頻阻抗。
表5-2表示小陶瓷電容器導(dǎo)線長度對諧振頻率的影響。為了保持高的諧振頻率,應(yīng)優(yōu)先ADM232AARW選用可用的最小值的電容器。
如果諧振頻率不能保持在關(guān)注的頻率之上,這種頻率通常是諧振頻率的許多倍,那么高于諧振頻率的電容器的阻抗則由電感確定。在這種條件下,任何電容值的電容器將有相同的高頻阻抗,較大的電容值可以提高低頻性能。在這種情況下,降低電容器高頻阻抗的唯一方法是減小電容器和導(dǎo)線的電感。
值得注意的是在串聯(lián)諧振頻率,電容器的阻抗(見圖5-2)實際上低于理想電容器的阻抗(沒有電感)。但是高于諧振頻率,電感會使阻抗隨頻率增大。
使用安裝在金屬機(jī)殼上或穿過機(jī)殼的穿心電容器,其諧振頻率會增大。圖5-6表示安裝在機(jī)殼或屏蔽體上的這樣一個電容器及其示意圖。穿心電容器是三端口器件,在導(dǎo)線和電容器殼間存在電容,兩個導(dǎo)線間沒有電容。因為沒有連接導(dǎo)線,穿心電容器接地電感很低。與信號導(dǎo)線串聯(lián)的引線電感實際上改進(jìn)了電容器的效率,這是因為它使穿心電容器變成了T型低通濾波器。圖5-7表示標(biāo)準(zhǔn)電容器和穿心電容器的等效電路,包括導(dǎo)線電感。因此,穿心電容器有非常好的高頻性能。圖5-8表示0.051uF穿心電容器和0.05 fiF標(biāo)準(zhǔn)電容器阻抗的頻率特性。圖中清楚地顯示穿心電容器改善(降低)了高頻阻抗。
熱門點擊
- 普通發(fā)光二極管特性曲線
- 多諧振蕩器工作原理
- RP1在電路中起分壓作用
- 正反饋電路方框圖
- 變?nèi)荻䴓O管主要參數(shù)
- 電感性負(fù)載
- 關(guān)于復(fù)合管需要掌握以下幾個電路細(xì)節(jié)
- MD機(jī)原理
- 電阻并聯(lián)電路中短路特征
- FET的工作原理
推薦技術(shù)資料
- DS2202型示波器試用
- 說起數(shù)字示波器,普源算是國內(nèi)的老牌子了,F(xiàn)QP8N60... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究