霍爾效應(yīng)及霍爾元件
發(fā)布時間:2014/11/5 20:56:43 訪問次數(shù):869
霍爾效應(yīng)置于磁場中的靜止載流導(dǎo)體，當(dāng)它的電流方向與磁場方向不一致時，載ADM232AARW流導(dǎo)體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電勢稱為霍爾電勢，半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。
如圖6-5所示，在垂直于外磁場B的方向上放置一個導(dǎo)電板，導(dǎo)電板通以電流，，方向如圖6-5所示。導(dǎo)電板中的電流是金屬中自由電子在電場作用下的定向運動。此時，每個電子受洛侖茲力F。的作用.
F。的方向在圖6-5中是向上的，此時電子除了沿電流反方向作定向運動外，還在F。的作用下向上漂移，結(jié)果使金屬導(dǎo)電板上底面積累電子，而下底面積累正電荷，從而形成了附加y
內(nèi)電場E。，稱為霍爾電場，UH為電位差�；魻栯妶龅某霈F(xiàn)，使定運動的電子除了受洛侖茲力作用外，還受到霍爾電場的作用力F。，其大小為- eEH，此力阻止電荷繼續(xù)積累。隨著上、下底面積累電荷的增加，霍爾電場增加，電子受到的電場力也增加，當(dāng)電子所受洛侖茲力與霍爾電場作用力大小相等、
霍爾效應(yīng)置于磁場中的靜止載流導(dǎo)體，當(dāng)它的電流方向與磁場方向不一致時，載ADM232AARW流導(dǎo)體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電勢稱為霍爾電勢，半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。
如圖6-5所示，在垂直于外磁場B的方向上放置一個導(dǎo)電板，導(dǎo)電板通以電流，，方向如圖6-5所示。導(dǎo)電板中的電流是金屬中自由電子在電場作用下的定向運動。此時，每個電子受洛侖茲力F。的作用.
F。的方向在圖6-5中是向上的，此時電子除了沿電流反方向作定向運動外，還在F。的作用下向上漂移，結(jié)果使金屬導(dǎo)電板上底面積累電子，而下底面積累正電荷，從而形成了附加y
內(nèi)電場E。，稱為霍爾電場，UH為電位差�；魻栯妶龅某霈F(xiàn)，使定運動的電子除了受洛侖茲力作用外，還受到霍爾電場的作用力F。，其大小為- eEH，此力阻止電荷繼續(xù)積累。隨著上、下底面積累電荷的增加，霍爾電場增加，電子受到的電場力也增加，當(dāng)電子所受洛侖茲力與霍爾電場作用力大小相等、
相關(guān)技術(shù)資料- 11-5霍爾效應(yīng)及霍爾元件
- 4-11穿心電容器
- 1-16變壓器的檢測
熱門點擊
- 正向降是指使二極管能夠?qū)ǖ恼蜃畹碗妷?/a>
- 擁塞窗口與傳輸輪次的關(guān)系曲線
- 超聲波的種類
- BSC介紹
- 以定點數(shù)(FXP)數(shù)據(jù)類型為例
- 測量電路
- LabVIEW中的選擇結(jié)構(gòu)程序
- 電容阻抗的大小隨著信號頻率的改變而改變
- 應(yīng)變片的靈敏系數(shù)露
- CP-ACK
推薦技術(shù)資料
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
