以下各節(jié)討論近區(qū)及遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)的屏蔽效能。LM385BZ-2.5屏蔽效能可以用許多不同的方法分析，一種方法是使用如圖6-5所示的電路理論。在電路理論方法中，在屏蔽體中入射場(chǎng)感應(yīng)產(chǎn)生電流，這些電流反過來產(chǎn)生附加的場(chǎng)，在某些空間區(qū)域抵消了原來的場(chǎng)。當(dāng)處理孑L隙問題時(shí)我們將會(huì)使用這種方法。

   圖6-5非磁性材料可以提供磁屏蔽。入射磁場(chǎng)在導(dǎo)體中感應(yīng)電流，產(chǎn)生一個(gè)反向場(chǎng)抵消屏蔽層封閉的空間區(qū)域內(nèi)的入射場(chǎng)然而，對(duì)于這一章的大部分內(nèi)容，我們使用由S．A.  Schelkunoff (1943，pp. 303-312)首先提出的方法。Schelkunoff的方法是將屏蔽作為一個(gè)有損耗和反射的傳輸線問題。損耗是屏蔽體內(nèi)產(chǎn)生熱量的結(jié)果，反射是入射波阻抗和屏蔽體阻抗不同造成的。

   屏蔽效能可以用由屏蔽造成磁場(chǎng)強(qiáng)度和（或）電場(chǎng)強(qiáng)度的減少量來描述。以dB’為單位表達(dá)屏蔽效能很方便，使用dB允許不同的屏蔽產(chǎn)生的屏蔽效能相加獲得總的屏蔽效能。電的屏蔽效能(S)定義，在上述的方程中，E。(H。)是入射場(chǎng)強(qiáng)，而E．(H．)是穿過屏蔽后傳輸波的場(chǎng)強(qiáng)。

   在屏蔽罩的設(shè)計(jì)中，主要考慮兩點(diǎn)：①屏蔽材料本身的屏蔽效能；②由屏蔽的不連續(xù)性

   和屏蔽體上的孔隙造成的屏蔽效能。這兩點(diǎn)在這一章中分別討論。

   首先，考慮無接縫或孔隙的完整屏蔽罩的屏蔽效能，然后再考慮不連續(xù)性和孔隙的影響。在高頻段，孔隙的屏蔽效能決定一個(gè)屏蔽體的總屏蔽效能，而不是屏蔽材料固有的屏蔽效能決定的。

   屏蔽效能隨頻率、屏蔽體的幾何形狀、屏蔽體內(nèi)場(chǎng)測(cè)量點(diǎn)的位置、場(chǎng)衰減的類型、入射角和極化等因紊變化。本節(jié)將考慮導(dǎo)電材料平板的屏蔽效果。這種簡(jiǎn)單的幾何形狀可以用來介紹一般的屏蔽概念，表明哪種材料特性決定了屏蔽效果，但這不包括屏蔽體幾何形狀的影響a平板計(jì)算的結(jié)果對(duì)于估計(jì)不同材料的相對(duì)屏蔽效果是有用的。

   電磁波入射到金屬的表面時(shí)，有兩種類型的損耗。電磁波部分的從表面反射回來，而波的傳輸（非反射）部分穿過屏蔽體時(shí)被衰減。這后面的效果被稱為吸收或穿透損耗，它對(duì)于近場(chǎng)或者遠(yuǎn)場(chǎng)，還是磁場(chǎng)或電場(chǎng)都是相同的。然而，反射損耗取決于場(chǎng)的類型和波阻抗。