輻射源周圍的空間可以分成兩個(gè)區(qū)域
發(fā)布時(shí)間:2014/4/13 16:27:03 訪問次數(shù):839
一個(gè)場的特性取決于揚(yáng)源(天線)、LM311P場源周圍的媒質(zhì)以及場源與觀測點(diǎn)之間的距離。在接近場源的觀測點(diǎn),場的性質(zhì)主要取決于場源的特點(diǎn)。在遠(yuǎn)離場源的觀測點(diǎn),該場的性能主要取決于傳播場的媒質(zhì)。因此,一個(gè)輻射源周圍的空間區(qū)域可以分成如圖6-3所示的兩個(gè)區(qū)域。接近場源的區(qū)域是近場或者感應(yīng)場,在距離大于Al27c(約六分之一波長)的是遠(yuǎn)場或者輻射場,A/2丁c附近的區(qū)域是近、遠(yuǎn)場的過渡區(qū)域。
圖6-3輻射源周圍的空間可以分成兩個(gè)區(qū)域,近場和遠(yuǎn)場。從近場到遠(yuǎn)場的過渡在距離A/27c處
電場E與磁場H的比值是波阻抗。在遠(yuǎn)場,這個(gè)比值等于傳輸媒質(zhì)的特性阻抗(例如,在空氣或自由空間中,El H=Zo =3770)。在近場,這個(gè)比值是由場源的特點(diǎn)以及從場源到實(shí)際觀測點(diǎn)的距離決定。如果場源具有大電流和低電壓(E/H <377Q),則近場主要為磁場。相反,如果場源具有小電流和高電壓(E/H >37701),則近場主要為電場。
對于桿狀或直線天線來說,源的阻抗很高。天線附近的波阻抗主要是電場,電場強(qiáng)度很高。隨著距離的增加,電場強(qiáng)度會(huì)衰減,隨之產(chǎn)生一個(gè)互補(bǔ)的磁場。在近場,電場以(l/r)3的速率衰減,而磁場以速率(l/r)Z的速率衰減。因此,直線天線的波阻抗隨著距離的增加而減少,逐漸接近遠(yuǎn)場自由空間的阻抗,如圖6-4所示。
圖6-4 波阻抗取決于距源的距離
對于以磁場為主的情況,例如由環(huán)形天線產(chǎn)生的場,天線附近的波阻抗較低。隨著距離的不斷增大,磁場以(l/r)3的速率衰減,而電場以(l/r)2的速率衰減。因此,波阻抗陋距離不斷增大,在A/2兀的距離時(shí)接近自由空間的波阻抗。在遠(yuǎn)場,電場和磁場均以1/r的速率衰減。
一個(gè)場的特性取決于揚(yáng)源(天線)、LM311P場源周圍的媒質(zhì)以及場源與觀測點(diǎn)之間的距離。在接近場源的觀測點(diǎn),場的性質(zhì)主要取決于場源的特點(diǎn)。在遠(yuǎn)離場源的觀測點(diǎn),該場的性能主要取決于傳播場的媒質(zhì)。因此,一個(gè)輻射源周圍的空間區(qū)域可以分成如圖6-3所示的兩個(gè)區(qū)域。接近場源的區(qū)域是近場或者感應(yīng)場,在距離大于Al27c(約六分之一波長)的是遠(yuǎn)場或者輻射場,A/2丁c附近的區(qū)域是近、遠(yuǎn)場的過渡區(qū)域。
圖6-3輻射源周圍的空間可以分成兩個(gè)區(qū)域,近場和遠(yuǎn)場。從近場到遠(yuǎn)場的過渡在距離A/27c處
電場E與磁場H的比值是波阻抗。在遠(yuǎn)場,這個(gè)比值等于傳輸媒質(zhì)的特性阻抗(例如,在空氣或自由空間中,El H=Zo =3770)。在近場,這個(gè)比值是由場源的特點(diǎn)以及從場源到實(shí)際觀測點(diǎn)的距離決定。如果場源具有大電流和低電壓(E/H <377Q),則近場主要為磁場。相反,如果場源具有小電流和高電壓(E/H >37701),則近場主要為電場。
對于桿狀或直線天線來說,源的阻抗很高。天線附近的波阻抗主要是電場,電場強(qiáng)度很高。隨著距離的增加,電場強(qiáng)度會(huì)衰減,隨之產(chǎn)生一個(gè)互補(bǔ)的磁場。在近場,電場以(l/r)3的速率衰減,而磁場以速率(l/r)Z的速率衰減。因此,直線天線的波阻抗隨著距離的增加而減少,逐漸接近遠(yuǎn)場自由空間的阻抗,如圖6-4所示。
圖6-4 波阻抗取決于距源的距離
對于以磁場為主的情況,例如由環(huán)形天線產(chǎn)生的場,天線附近的波阻抗較低。隨著距離的不斷增大,磁場以(l/r)3的速率衰減,而電場以(l/r)2的速率衰減。因此,波阻抗陋距離不斷增大,在A/2兀的距離時(shí)接近自由空間的波阻抗。在遠(yuǎn)場,電場和磁場均以1/r的速率衰減。
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