當邏輯切換時，IC去耦電容將釋放一些電荷。當邏輯再次切換前，IC去耦電容必須再充電。比起單獨IC去耦電容的情況，再充電電流出現(xiàn)的頻率相當?shù)�，而且它被位于印制電路�?/span>上的大容量去耦電容或電容器組供電。ICL3232EIBNZ-T單獨IC去耦電容必須工作在邏輯的切換速度——基本上是與上升和下降時間相關的。大容量去耦電容通常至少具有一半的時鐘周期去給單獨去耦電容充電；因此，它們工作在時鐘頻率的兩倍或少一些。

   大容量電容的值不是關鍵，但它應該大于其所服務的IC所有去耦電容值之和。一個大容量去耦電容應該位于電源進入極的位置。其他的大容量電容應合理地位于板的周孱。與邊上分布太少相比，在邊上分布較多大容量去耦電容是較好的。    

   大容量去耦電容的大小通常為5～lOOruF（lOtLF是一個典型值），且應有一個小的等效串聯(lián)電感。過去，鉭電解質電容器很普通。然而，隨著電容技術的提高，多層陶瓷電容器在應用中變得更普遍。鋁電解質電容器的電感比鉭電解質電容器高一個數(shù)量級或更多，因而不應使用。

   因為大容量去耦電容具有的電容值不同于單獨IC去耦電容，兩個不同的電容值將產(chǎn)生一個并聯(lián)諧振阻抗尖峰。然而，因為大容量電容具有很大的電容值，阻抗尖峰出現(xiàn)在很低的頻率，且幅度較低，通常不會有問題。在大容量電容內少量等效串聯(lián)電阻實際上是有用的，因為它可提供一定程度的阻尼以減小可能出現(xiàn)的任何諧振峰值的幅度。