1．RAM的特點(diǎn)

   (1)靜態(tài)RAM的特點(diǎn)

  一般用6個(gè)MOS管構(gòu)成的觸發(fā)器作為基本存儲元，存放 AD53098-914-01一個(gè)二進(jìn)制(b)信息。

   集成度低于動態(tài)RAM，適合做小容量的存儲器。

  不需要刷新，易于用電池作備用電源，以解決斷電后繼續(xù)保存信息的問題。

   功耗低于雙極型RAM，但高于動態(tài)RAM。

   (2)動態(tài)RAM的特點(diǎn)

   一般果用單管作基本存儲單元，依靠寄生電容存儲電荷來存儲信息。

   集成度高，適合做大容量的存儲器。

   需要定時(shí)刷新，通常刷新間隔為2ms。

   功耗較靜態(tài)RAM低，位價(jià)格也較便宜。

   2．ROM的分類及特點(diǎn)    ，

   (1)掩膜式ROM

   用廠家定做的掩膜對存儲器進(jìn)行編程，一旦制造完畢，內(nèi)容固定不能改變。適合批量生產(chǎn)，但不適合科學(xué)及工程研發(fā)。

   (2) -次可編程式的PROM

    允許用戶一次性寫入，再也不可更改。因此，不適合于研發(fā)。

   (3)可擦寫式的EPROM

   允許用戶多次寫入信息。寫入操作由專用設(shè)備完成，但寫入之前必須先擦除原來按照擦除方式的不同，又可分為紫外光擦除的UVEPROM和電擦除的EEPROM。

   寫入時(shí)電壓要求較高（一般為20—25V），寫入速度較慢而不能像RAM那樣作隨機(jī)存取存儲器使用。