CMOS門(mén)電路的閾值電壓通常為UDD/2，靜態(tài)時(shí)，Dl、D2工作在電壓傳輸特性的轉(zhuǎn)折區(qū)，HT7530有很大的電壓放大倍數(shù)。由于Rf跨接在Dl的輸出、輸入端之間，而CMOS門(mén)電路在正常工作范圍內(nèi)它的輸入電流約等于0，因此U。1=Uu。這時(shí)在直角坐標(biāo)圖4- 55 (a)中，

Uol =Un所作的一條斜直線和CMOS門(mén)電路的電壓傳輸特性轉(zhuǎn)折曲線的交點(diǎn)P，即為門(mén)電路Dl的靜態(tài)工作點(diǎn)。

   通常，由于CMOS門(mén)電路的閾值電壓UTH =UDD/2，它和Dl的靜態(tài)工作點(diǎn)也恰好相交于P點(diǎn)。由于Ui2一ol，所以，D2也工作在電壓傳輸特性轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)。

   若因某種原因使Ui有微小的正跳變，則必將引起如下的正反饋過(guò)程，反饋的結(jié)果使Dl迅速導(dǎo)通而D2迅速截止，電路進(jìn)入第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。同時(shí)電容C開(kāi)始放電，放電回路為：電容C的左極板-,Rf-*Dl一地（電源）tjDD一D2--電容C的右極板。

   隨著電容C的放電，逐漸下降，當(dāng)Uil降至UTH時(shí)，另一個(gè)反饋過(guò)程發(fā)生.通過(guò)電容C將信號(hào)電壓反饋到Dl的輸入端。由于電容C的上端電壓升高時(shí)，它的下端相對(duì)要下降，這就迫使Uil下降，其結(jié)果使Dl迅速截止，D2迅速導(dǎo)通，電路翻轉(zhuǎn)進(jìn)入第二個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。同時(shí)電容C開(kāi)始充電，充電回路為：電源UDD- Dl-Rf一電容C—D2-*地。

   隨著電容C的充電，Uil不斷上升，當(dāng)Uil一UTH時(shí)，電路翻轉(zhuǎn)重新回到第一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。如此往復(fù)，電路便不停地振蕩。其工作波形如圖4 - 55  (c)所示。

   通過(guò)分析及計(jì)算，電路的振蕩周期T=1. 4RfC，而且Ti一T2，輸出波形的占空比為50%。為減少電容C充放電過(guò)程中CMOS門(mén)電路輸入保護(hù)電路所承受的電流沖擊，在電路的Dl輸入端串人阻值較大的保護(hù)電阻，這時(shí)，在UTH =UDD/2的條件下，電路的搌蕩周期為：T=2.2RfC。

   除了用集成反相器外，用與非門(mén)和或非門(mén)電路也可組成多諧振蕩器。用與非門(mén)和或非門(mén)組成的多諧振蕩器如圖4- 56所示。