晶體管 IXFN72N55Q2 MOSFET - 單
晶體管 IXFN72N55Q2 MOSFET - 單屬性
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晶體管 IXFN72N55Q2 MOSFET - 單描述
IXFN72N55Q2介紹:
描述 MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 底座安裝 N 溝道 550V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 550V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 72A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 258nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 10500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 890W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 72 毫歐 @ 500mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4,miniBLOC
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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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