晶體管 US5U29TR 半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 US5U29TR 半導(dǎo)體產(chǎn)品屬性
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晶體管 US5U29TR 半導(dǎo)體產(chǎn)品描述
US5U29TR介紹:
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 1A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 2.1nC @ 5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 150pF @ 10V
FET 功能 肖特基二極管(隔離式)
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 390 毫歐 @ 1A,4.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TUMT5
封裝/外殼 6-SMD(5引線),扁引線
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比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。
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