晶體管 2SK2009TE85LF 半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 2SK2009TE85LF 半導(dǎo)體產(chǎn)品屬性
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晶體管 2SK2009TE85LF 半導(dǎo)體產(chǎn)品描述
2SK2009TE85LF介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 200mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100μA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 70pF @ 3V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 2歐姆 @ 50MA,2.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-59-3
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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