晶體管 SI4894BDY-T1-E3 MOSFET - 單

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 SI4894BDY-T1-E3 MOSFET - 單屬性

晶體管 SI4894BDY-T1-E3 MOSFET - 單描述

SI4894BDY-T1-E3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8.9A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1580pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 11 毫歐 @ 12A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽下去，這對電子管收音機(jī)來說，是難以做到的。

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