美高森美:SiC MOSFET技術(shù)
發(fā)布時間:2018/6/2 10:32:18 訪問次數(shù):1918
主要特性:
· 在相臂拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中優(yōu)化多sic mosfet和二極管芯片組件的布局;
- 51電子網(wǎng)公益庫存:
- C1ZBZ0003191
- C2650F128RGZT
- CAT4106YP-T2
- CAT7101CT5
- CAT7199CA
- CBRHDSH1-100TR13
- CC3200MODR1M2AMOBR
- CC8520RHAR
- CD14538BE
- CD14538BM96
- CD4001BE
- CD4001BM96
- CD4002BE
- CD4007UBE
- CD4009UBE
- CD40102BE
- CD40106BE
- CD40106BM96
· 采用對稱設(shè)計,每個開關(guān)最多可并聯(lián)12個sic mosfet芯片;
· 每個管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并聯(lián),實現(xiàn)均勻的電流平衡;
· 在非?斓拈_關(guān)頻率下,具有高達(dá)600 a的高電流能力;以及
· 可選的組裝材料組合,能夠更好地滿足不同的市場和應(yīng)用需求。
6月5日至7日在pcim展會6號展廳318展臺進(jìn)行演示
美高森美產(chǎn)品專家將在pcim展會期間于公司展臺上展示其下一代sic解決方案,包括新型低電感基于sic的 sp6li功率模塊。此外,還將展示最近發(fā)布的新一代1200 v、40 mohm sic mosfet器件和1200 v、10/30 / 50a sic二極管產(chǎn)品,以及功率因數(shù)校正(pfc)參考設(shè)計。ttp://yushuollp.51dzw.com/
產(chǎn)品供貨
美高森美現(xiàn)在提供采用低電感封裝的sp6li產(chǎn)品系列樣品。
美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其sic解決方案的開發(fā)工作,已經(jīng)成為向市場提供一系列si / sic功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的sp6li產(chǎn)品系列采用專為高電流sic mosfet功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一,具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊,在外殼溫度(tc)為80°c的情況下,提供從1200 v、210a至586 a;以及tc同為80°c的情況下達(dá)到1700 v、207 a的相臂拓?fù)洹_@種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸,可以使用較少數(shù)量的并聯(lián)模塊來實現(xiàn)完整的系統(tǒng),幫助客戶進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。
美高森美的sp6li功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車、醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機(jī)控制,示例包括電動車/混合動力車(ev/hev)動力傳送和動能回收系統(tǒng)、飛機(jī)作動器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源,用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(pv)/太陽能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。
美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理leon gross表示:“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)sp6li封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的sic mosfet器件改善性能,通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案,幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性,使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng),幫助他們從競爭中脫穎而出。”
市場研究機(jī)構(gòu)technavio指出,面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的sic市場預(yù)計在2021年前達(dá)到大約5.405億美元,年復(fù)合增長率(cagr)超過18%。此外,ihs markit的研究表明,預(yù)計sic mosfet器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營收,幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平,成為第二大暢銷sic分立功率器件類型。
美高森美的sp6li電源模塊采用由sic功率mosfet和sic肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù),每個開關(guān)具有低至2.1 mohms 的極低rdson,并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子,以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn),氮化硅作為選件)。此外,標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(alsic)材料選件以實現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。ttp://yushuollp.51dzw.com/
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(microsemi corporation) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(rdson) 碳化硅 (sic) mosfet功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司sp6li 產(chǎn)品系列而開發(fā),經(jīng)設(shè)計提供適用于sic mosfet技術(shù)的2.9 nh雜散電感,同fb實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的pcim 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的sp6li功率模塊,以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的sic功率模塊產(chǎn)品。來源:電子產(chǎn)品世界
主要特性:
· 在相臂拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中優(yōu)化多sic mosfet和二極管芯片組件的布局;
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- C1ZBZ0003191
- C2650F128RGZT
- CAT4106YP-T2
- CAT7101CT5
- CAT7199CA
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- CC3200MODR1M2AMOBR
- CC8520RHAR
- CD14538BE
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· 采用對稱設(shè)計,每個開關(guān)最多可并聯(lián)12個sic mosfet芯片;
· 每個管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并聯(lián),實現(xiàn)均勻的電流平衡;
· 在非?斓拈_關(guān)頻率下,具有高達(dá)600 a的高電流能力;以及
· 可選的組裝材料組合,能夠更好地滿足不同的市場和應(yīng)用需求。
6月5日至7日在pcim展會6號展廳318展臺進(jìn)行演示
美高森美產(chǎn)品專家將在pcim展會期間于公司展臺上展示其下一代sic解決方案,包括新型低電感基于sic的 sp6li功率模塊。此外,還將展示最近發(fā)布的新一代1200 v、40 mohm sic mosfet器件和1200 v、10/30 / 50a sic二極管產(chǎn)品,以及功率因數(shù)校正(pfc)參考設(shè)計。ttp://yushuollp.51dzw.com/
產(chǎn)品供貨
美高森美現(xiàn)在提供采用低電感封裝的sp6li產(chǎn)品系列樣品。
美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其sic解決方案的開發(fā)工作,已經(jīng)成為向市場提供一系列si / sic功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的sp6li產(chǎn)品系列采用專為高電流sic mosfet功率模塊而設(shè)計的最低雜散電感封裝之一,具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊,在外殼溫度(tc)為80°c的情況下,提供從1200 v、210a至586 a;以及tc同為80°c的情況下達(dá)到1700 v、207 a的相臂拓?fù)。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸,可以使用較少數(shù)量的并聯(lián)模塊來實現(xiàn)完整的系統(tǒng),幫助客戶進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。
美高森美的sp6li功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車、醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機(jī)控制,示例包括電動車/混合動力車(ev/hev)動力傳送和動能回收系統(tǒng)、飛機(jī)作動器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源,用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(pv)/太陽能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。
美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理leon gross表示:“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)sp6li封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的sic mosfet器件改善性能,通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案,幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性,使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng),幫助他們從競爭中脫穎而出!
市場研究機(jī)構(gòu)technavio指出,面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的sic市場預(yù)計在2021年前達(dá)到大約5.405億美元,年復(fù)合增長率(cagr)超過18%。此外,ihs markit的研究表明,預(yù)計sic mosfet器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營收,幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平,成為第二大暢銷sic分立功率器件類型。
美高森美的sp6li電源模塊采用由sic功率mosfet和sic肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)洌總開關(guān)具有低至2.1 mohms 的極低rdson,并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子,以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn),氮化硅作為選件)。此外,標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(alsic)材料選件以實現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。ttp://yushuollp.51dzw.com/
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(microsemi corporation) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(rdson) 碳化硅 (sic) mosfet功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司sp6li 產(chǎn)品系列而開發(fā),經(jīng)設(shè)計提供適用于sic mosfet技術(shù)的2.9 nh雜散電感,同fb實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的pcim 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的sp6li功率模塊,以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的sic功率模塊產(chǎn)品。來源:電子產(chǎn)品世界
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