主要特性包括：

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· 在相臂拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中優(yōu)化多sic mosfet和二極管芯片組件的布局;

· 采用對(duì)稱設(shè)計(jì)，每個(gè)開關(guān)最多可并聯(lián)12個(gè)sic mosfet芯片;

· 每個(gè)管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)均勻的電流平衡;

· 在非常快的開關(guān)頻率下，具有高達(dá)600 a的高電流能力;以及

· 可選的組裝材料組合，能夠更好地滿足不同的市場(chǎng)和應(yīng)用需求。

美高森美產(chǎn)品專家將在pcim展會(huì)期間于公司展臺(tái)上展示其下一代sic解決方案，包括新型低電感基于sic的 sp6li功率模塊。此外，還將展示最近發(fā)布的新一代1200 v、40 mohm sic mosfet器件和1200 v、10/30 / 50a sic二極管產(chǎn)品，

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其sic解決方案的開發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列si / sic功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的sp6li產(chǎn)品系列采用專為高電流sic mosfet功率模塊而設(shè)計(jì)的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(tc)為80°c的情況下，提供從1200 v、210a至586 a;以及tc同為80°c的情況下達(dá)到1700 v、207 a的相臂拓?fù)洹＿@種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數(shù)量的并聯(lián)模塊來實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)，幫助客戶進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。http://yushuolyf.51dzw.com

美高森美的sp6li功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車、醫(yī)療、航天和國(guó)防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機(jī)控制，示例包括電動(dòng)車/混合動(dòng)力車(ev/hev)動(dòng)力傳送和動(dòng)能回收系統(tǒng)、飛機(jī)作動(dòng)器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(pv)/太陽(yáng)能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。

美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理leon gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)sp6li封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的sic mosfet器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出�！�

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)technavio指出，面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的sic市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約5.405億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(cagr)超過18%。此外，ihs markit的研究表明，預(yù)計(jì)sic mosfet器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營(yíng)收，幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷sic分立功率器件類型。

美高森美的sp6li電源模塊采用由sic功率mosfet和sic肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)�，每個(gè)開關(guān)具有低至2.1 mohms 的極低rdson，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號(hào)和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn)，氮化硅作為選件)。此外，標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(alsic)材料選件以實(shí)現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。

展示采用全新低電感封裝的五個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊的完整產(chǎn)品線http://yushuolyf.51dzw.com

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(rdson) 碳化硅 (sic) mosfet功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司sp6li 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于sic mosfet技術(shù)的2.9 nh雜散電感，同fb實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的pcim 上展示使用新封裝的sp6li功率模塊，以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的sic功率模塊產(chǎn)品。文章來源：華強(qiáng)電子網(wǎng)