電子元器件MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2018/12/13 10:38:50 訪問(wèn)次數(shù):28865

51電子網(wǎng)公益庫(kù)存:: REG101NA-3.3; RF1603ATR7; RF2637; RF3021TR7; RF3196MSTR13; RF7418TR7; RFFM4501E; RFPA5201ETR13; RT6220AHGQUF; RT63368F; RTL8188CUS; RTL8188EE; RTL8188ER; RTL8188ETV; RTL8188EUS; RTL8189ES; RTL8761ATV; RTSR50; RTSR65; RU40120M

隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和mosfet整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而提升功耗密度，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和mos管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)dc電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)ic的drmos。

瑞薩第2代drmos

經(jīng)過(guò)qfn-56無(wú)腳封裝，讓drmos熱阻抗很低；借助內(nèi)部引線鍵合以及銅夾帶設(shè)計(jì)，可最大程度減少外部pcb布線，從而降低電感和電阻。http://wnly.51dzw.com/

另外，采用的深溝道硅(trench silicon)mosfet工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式，支持主動(dòng)相變換模式aps（auto phase switching）。

除了qfn封裝外，雙邊扁平無(wú)引腳封裝（dfn）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與qfn相比，dfn少了兩邊的引出電極。

塑封有引線芯片載體(plcc)

plcc（plastic quad flat package）外形呈正方形，尺寸比dip封裝小得多，有32個(gè)引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。

其引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84不等，j形引腳不易變形，比qfp容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。plcc封裝適合用smt表面安裝技術(shù)在pcb上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。

plcc封裝是比較常見(jiàn)，用于邏輯lsi、dld(或程邏輯器件)等電路，主板bios常采用的這種封裝形式，不過(guò)目前在mos管中較少見(jiàn)。

主流企業(yè)的封裝與改進(jìn)

由于cpu的低電壓、大電流的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)mosfet提出輸出電流大，導(dǎo)通電阻低，發(fā)熱量低散熱快，體積小的要求。mosfet廠商除了改進(jìn)芯片生產(chǎn)技術(shù)和工藝外，也不斷改進(jìn)封裝技術(shù)，在與標(biāo)準(zhǔn)外形規(guī)格兼容的基礎(chǔ)上，提出新的封裝外形，并為自己研發(fā)的新封裝注冊(cè)商標(biāo)名稱(chēng)。

瑞薩（renesas）wpak、lfpak和lfpak-i封裝

wpak是瑞薩開(kāi)發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過(guò)仿d-pak封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過(guò)主板散熱，使小形封裝的wpak也可以達(dá)到d-pak的輸出電流。wpak-d2封裝了高/低2顆mosfet，減小布線電感。

fpak和lfpak-i是瑞薩開(kāi)發(fā)的另外2種與so-8兼容的小形封裝。lfpak類(lèi)似d-pak，但比d-pak體積小。lfpak-i是將散熱板向上，通過(guò)散熱片散熱。http://xhwydz01.51dzw.com

威世（vishay）power-pak和polar-pak封裝

power-pak是威世公司注冊(cè)的mosfet封裝名稱(chēng)。power-pak包括有power-pak1212-8、power-pak so-8兩種規(guī)格。

polar pak是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術(shù)之一。polar pak與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設(shè)計(jì)了散熱點(diǎn)，封裝內(nèi)部不易蓄熱，能夠?qū)⒐ぷ麟娏鞯碾娏髅芏忍岣咧羢o-8的2倍。目前威世已向意法半導(dǎo)體公司提供polar pak技術(shù)授權(quán)。

安森美（onsemi）so-8和wdfn8扁平引腳（flat lead）封裝

安美森半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了2種扁平引腳的mosfet，其中so-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。安森美新近推出的nvmx和nvtx功率mosfet就采用了緊湊型dfn5(so-8fl)和wdfn8封裝，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低qg和電容，可將驅(qū)動(dòng)器損耗降到最低的特性。

恩智浦（nxp）lfpak和qlpak封裝

恩智浦（原philps）對(duì)so-8封裝技術(shù)改進(jìn)為lfpak和qlpak。其中l(wèi)fpak被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率so-8封裝；而qlpak具有體積小、散熱效率更高的特點(diǎn)，與普通so-8相比，qlpak占用pcb板的面積為6*5mm，同時(shí)熱阻為1.5k/w。

意法（st）半導(dǎo)體powerso-8封裝

意法半導(dǎo)體功率mosfet芯片封裝技術(shù)有so-8、powerso-8、powerflat、directfet、polarpak等，其中powerso-8正是so-8的改進(jìn)版，此外還有powerso-10、powerso-20、to-220fp、h2pak-2等封裝。

飛兆（fairchild）半導(dǎo)體power 56封裝

power 56是farichild的專(zhuān)用稱(chēng)呼，正式名稱(chēng)為dfn 5×6。其封裝面積跟常用的tsop-8不相上下，而薄型封裝又節(jié)約元件凈空高度，底部thermal-pad設(shè)計(jì)降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了dfn 5×6。

國(guó)際整流器（ir）direct fet封裝

direct fet能在so-8或更小占位面積上，提供高效的上部散熱，適用于計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電信和消費(fèi)電子設(shè)備的ac-dc及dc-dc功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。與標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝相比，directfet的金屬罐構(gòu)造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻dc-dc降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。

direct fet封裝屬于反裝型，漏極（d）的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過(guò)金屬外殼散熱。direct fet封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好。

四邊無(wú)引線扁平封裝（qfn）

qfn（quad flat non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線，貼裝表現(xiàn)出面積比qfp小、高度比qfp低的特點(diǎn)；其中陶瓷qfn也稱(chēng)為lcc（leadless chip carriers），采用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板基材的低成本塑料qfn則稱(chēng)為塑料lcc、pclc、p-lcc等。

是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。

qfn主要用于集成電路封裝，mosfet不會(huì)采用。不過(guò)因intel提出整合驅(qū)動(dòng)與mosfet方案，而推出了采用qfn-56封裝（“56”指芯片背面有56個(gè)連接pin）的drmos。

需要說(shuō)明的是，qfn封裝與超薄小外形封裝(tssop)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比tssop的小62%。根據(jù)qfn建模數(shù)據(jù)，其熱性能比tssop封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比tssop封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點(diǎn)則是返修難度高。

傳統(tǒng)的分立式dc/dc降壓開(kāi)關(guān)電源無(wú)法滿(mǎn)足對(duì)更高功耗密度的要求，也不能解決高開(kāi)關(guān)頻率下的寄生參數(shù)影響問(wèn)題。

經(jīng)過(guò)qfn-56無(wú)腳封裝，讓drmos熱阻抗很低；借助內(nèi)部引線鍵合以及銅夾帶設(shè)計(jì)，可最大程度減少外部pcb布線，從而降低電感和電阻。

文章出自：電子器件的世界