chen houtong教授課題組[18]利用金屬亞波長(zhǎng)線柵設(shè)計(jì)了一種基于超薄平面超材料的高效寬帶太赫茲線性振轉(zhuǎn)換器并得到近乎完美的反常折射；

二氧化釩的晶格結(jié)構(gòu)在低溫時(shí)表現(xiàn)為單斜金紅石結(jié)構(gòu)，當(dāng)溫度升高超過其相變溫度(68 ℃)時(shí)變化為四方金紅石結(jié)構(gòu)[30]，即在低于68 ℃時(shí)為絕緣相，表現(xiàn)為絕緣體；高于68 ℃時(shí)為金屬相，表現(xiàn)為導(dǎo)體，vo2獨(dú)特的性質(zhì)可為太赫茲波的動(dòng)態(tài)調(diào)控提供一份思路[31-32]。

雙開口諧振環(huán)(double split ring resonator，dsrr)最早由pendry j b等人[14]提出，是構(gòu)造超材料的典型結(jié)構(gòu)，內(nèi)環(huán)與外環(huán)之間的電容以及電感的影響能增加諧振頻率。一款周期性雙開口諧振環(huán)并在兩個(gè)開口處放置vo2材料的陣列模型，利用fdtd solution軟件研究了其溫度調(diào)控特性。

二氧化釩(vo2)的溫致金屬-絕緣體相變特性，利用雙開口諧振環(huán)，設(shè)計(jì)了透射頻率可調(diào)的太赫茲器件。利用時(shí)域有限差分法(fdtd)理論研究了該結(jié)構(gòu)的透射特性。結(jié)果表明，當(dāng)外界溫度從25 ℃升高至85 ℃，超過二氧化釩的相變溫度(68 ℃)時(shí)，在0.63 thz和1.91 thz處的透射率由6.3%和0.5%增加至66.6%和45.2%，調(diào)制深度分別達(dá)到82.7%和97.8%，表現(xiàn)出良好的可調(diào)特性。具體分析了諧振吸收的機(jī)理以及溫度調(diào)控的過程。

gan晶體管的開關(guān)速度比硅mosfet要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于：

柵極電容和輸出電容更低。

較低的漏源極導(dǎo)通電阻(rds(on))可實(shí)現(xiàn)更高的電流操作，從而降低了傳導(dǎo)損耗。

無需體二極管，因此反向恢復(fù)電荷(qrr)低或?yàn)榱恪?/span>

gan晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正(pfc)和dc-dc部分的ac/dc電源：前端、無電橋pfc以及其后的llc諧振轉(zhuǎn)換器（兩個(gè)電感和一個(gè)電容）。此拓?fù)渫耆蕾囉趫D1所示的半橋和全橋電路。

如果將數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)作為主控制器，并用gan晶體管替換硅mosfet，就需要一種新的隔離技術(shù)來處理更高的開關(guān)頻率。這主要包括隔離式gan驅(qū)動(dòng)器。

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