驅(qū)動半橋晶體管的高端和低端

發(fā)布時間:2020/10/5 23:48:16 訪問次數(shù):12136

為了充分利用gan晶體管，要求隔離柵極驅(qū)動器最好具有以下特性：

最大允許柵電壓<7 v

開關(guān)節(jié)點(diǎn)下dv/dt>100 kv/ms ，cmti為100 kv/μs至200 kv/μs

對于650 v應(yīng)用，高低開關(guān)延遲匹配≤50 ns

用于關(guān)斷的負(fù)電壓箝位( 3 v)

有幾種解決方案可同時驅(qū)動半橋晶體管的高端和低端。關(guān)于傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換高壓驅(qū)動器有一個傳說，就是最簡單的單芯片方案僅廣泛用于硅基mosfet。在一些高端產(chǎn)品（例如，服務(wù)器電源）中，使用adum4223雙通道隔離驅(qū)動器來驅(qū)動mos，以實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計。

采用gan時，電平轉(zhuǎn)換解決方案存在一些缺點(diǎn)，如傳輸延遲很大，共模瞬變抗擾度(cmti)有限，用于高開關(guān)頻率的效果也不是很理想。與單通道驅(qū)動器相比，雙通道隔離驅(qū)動器缺少布局靈活性。同時，也很難配置負(fù)偏壓。表1對這些方法做了比較。

對于gan晶體管，可使用單通道驅(qū)動器。adum3123是典型的單通道驅(qū)動器，可使用齊納二極管和分立電路提供外部電源來提供負(fù)偏壓（可選）.

新趨勢：定制的隔離式gan模塊

gan器件通常與驅(qū)動器分開封裝。這是因為gan開關(guān)和隔離驅(qū)動器的制造工藝不同。未來，將gan晶體管和隔離

柵驅(qū)動器集成到同一封裝中將會減少寄生電感，從而進(jìn)一步增強(qiáng)開關(guān)性能。一些主要的電信供應(yīng)商計劃自行封裝gan系統(tǒng)，構(gòu)建單獨(dú)的定制模塊。從長遠(yuǎn)來看，用于gan系統(tǒng)的驅(qū)動器也許能夠集成到更小的隔離器模塊中。

adum110n等微型單通道驅(qū)動器（低傳輸延遲、高頻率）和isopower adum5020設(shè)計簡單，可支持這一應(yīng)用趨勢。

用于gan晶體管的單通道、隔離式isocoupler驅(qū)動器

icoupler adum110n和isopower adum5020非常適合navitas gan模塊應(yīng)用

與傳統(tǒng)硅基mosfet相比，gan晶體管具有更小的器件尺寸、更低的導(dǎo)通電阻和更高的工作頻率等諸多優(yōu)點(diǎn)。采用gan技術(shù)可縮小解決方案的總體尺寸，且不影響效率。gan器件具有廣闊的應(yīng)用前景，特別是在中高電壓電源應(yīng)用中。采用adi公司的icoupler®技術(shù)驅(qū)動新興gan開關(guān)和晶體管能夠帶來出色的效益。