低壓磁盤線性穩(wěn)壓器
發(fā)布時(shí)間:2021/7/8 16:45:42 訪問次數(shù):3917
max8527
1.425v至3.6v輸入,2a,0.2v輟學(xué)ldo穩(wěn)壓器
主要特征:
1.425v至3.6v輸入電壓范圍
在2a輸出電流下保證200mv丟失
初始精度±0.6%
負(fù)載/線/溫度的±1.4%輸出精度(0°c至+ 85°c)
兼容陶瓷電容器
快速瞬態(tài)響應(yīng)
440μa操作電源電流
<50μa關(guān)閉電源電流
短路保護(hù)
熱過(guò)載保護(hù)
軟啟動(dòng)限制浪涌電流
5mm x 6.4mm
應(yīng)用:
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ate)
聯(lián)網(wǎng)
筆記本
光學(xué)模塊
pda.
后監(jiān)管機(jī)構(gòu)
服務(wù)器
貯存
無(wú)線基站
產(chǎn)品展示:
max8527
低壓磁盤線性穩(wěn)壓器從輸入電壓低至1.425v,
能夠提供高達(dá)2a的連續(xù)輸出電流,
最大輟學(xué)電壓僅為200mv。
輸出電壓可設(shè)置為0.5v至(vin - 0.2v),
并且在10°c至+ 85°c的負(fù)載和線路變化的1.4%精確。
這些穩(wěn)壓器使用小型2.2μf陶瓷輸入電容器
和10μf陶瓷輸出電容器來(lái)提供2a輸出電流。
高帶寬提供優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng),
并將輸出電壓偏差限制為20ma至2a負(fù)載步驟,
僅具有10μf陶瓷輸出電容,
并且可以通過(guò)增加輸出電容進(jìn)一步減小電壓偏差。
采用內(nèi)部p溝道m(xù)osfet pass晶體管,
在輟學(xué)條件下具有低500μa的典型電源電流。
14針tssop封裝。
來(lái)源:maximintegrated.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
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主要特征:
1.425v至3.6v輸入電壓范圍
在2a輸出電流下保證200mv丟失
初始精度±0.6%
負(fù)載/線/溫度的±1.4%輸出精度(0°c至+ 85°c)
兼容陶瓷電容器
快速瞬態(tài)響應(yīng)
440μa操作電源電流
<50μa關(guān)閉電源電流
短路保護(hù)
熱過(guò)載保護(hù)
軟啟動(dòng)限制浪涌電流
5mm x 6.4mm
應(yīng)用:
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ate)
聯(lián)網(wǎng)
筆記本
光學(xué)模塊
pda.
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服務(wù)器
貯存
無(wú)線基站
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低壓磁盤線性穩(wěn)壓器從輸入電壓低至1.425v,
能夠提供高達(dá)2a的連續(xù)輸出電流,
最大輟學(xué)電壓僅為200mv。
輸出電壓可設(shè)置為0.5v至(vin - 0.2v),
并且在10°c至+ 85°c的負(fù)載和線路變化的1.4%精確。
這些穩(wěn)壓器使用小型2.2μf陶瓷輸入電容器
和10μf陶瓷輸出電容器來(lái)提供2a輸出電流。
高帶寬提供優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng),
并將輸出電壓偏差限制為20ma至2a負(fù)載步驟,
僅具有10μf陶瓷輸出電容,
并且可以通過(guò)增加輸出電容進(jìn)一步減小電壓偏差。
采用內(nèi)部p溝道m(xù)osfet pass晶體管,
在輟學(xué)條件下具有低500μa的典型電源電流。
14針tssop封裝。
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