產(chǎn)品種類: 多路器開(kāi)關(guān) IC
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: Multiplexers
通道數(shù)量: 4 Channel
配置: 2 x 4:1
導(dǎo)通電阻—最大值: 450 Ohms
運(yùn)行時(shí)間—最大值: 300 ns
空閑時(shí)間—最大值: 200 ns
工作電源電壓: 3 V, 5 V, 9 V
最大工作溫度: + 70 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-Narrow-16
商標(biāo): Maxim Integrated
最大雙重電源電壓: +/- 6 V
最小工作溫度: 0 C
封裝: Reel
Pd-功率耗散: 696 mW
傳播延遲時(shí)間: 200 ns
系列: MAX4582
工廠包裝數(shù)量: 2500
電源電流—最大值: 0.001 mA
電源類型: Single Supply, Dual Supply
MAX4582CSE電源電壓-最大: 12 V
電源電壓-最小: 2 V
零件號(hào)別名: MAX4582其中,Snapdragon 430將搭載MAX4582CSE數(shù)據(jù)晶片,提供
150 Mbps下行速度,另外也對(duì)應(yīng)2x10 MHz載波聚合連接,提供等同Cat.5規(guī)格、可
達(dá)75 Mbps上行速度表現(xiàn),以及支援64-QAM數(shù)位頻率調(diào)整技術(shù),相機(jī)最高可支援
至2100萬(wàn)畫素,并且搭配Adreno 505 GPU;至于Snapdragon 617則搭載X8 LTE C
at.7數(shù)據(jù)晶片,將對(duì)應(yīng)2x20 MHz載波聚合連接,提供300 Mbps下行速度,其余配置
則與Snapdragon 620或618相同,并且相容相同的軟體應(yīng)用服務(wù)。
目前MAX4582CSE預(yù)計(jì)最快將在2016年第二季正式問(wèn)世,Snapdragon 617則將可在
年底前看見(jiàn)相關(guān)應(yīng)用商品問(wèn)世。
而針對(duì)先前推出約一年的Snapdragon 210與Snapdragon 410處理器,Qualcomm
也宣布前者針對(duì)入門機(jī)種導(dǎo)入4G LTE連接功能,在推出一年內(nèi)約有超過(guò)200款行
動(dòng)裝置采用,并且協(xié)助各個(gè)新興市場(chǎng)快速邁入4G LTE連網(wǎng)發(fā)展;而后者則是在一
年內(nèi)應(yīng)用在550款以上機(jī)種,并且在全球市場(chǎng)累積出貨達(dá)2億組,由超過(guò)60家OEM廠
商采納使用,同時(shí)針對(duì)150美元以下售價(jià)裝置提供64位元運(yùn)算能力。對(duì)于Qualcomm
而言,包含Snapdragon 210與Snapdragon 410處理器銷售表現(xiàn)均邁入明顯里程碑。
除此之外,Qualcomm旗下子公司MAX4582CSE也宣布推出第三代快速充電技術(shù)
Quick Charge 3.0,其中導(dǎo)入最佳電壓智慧協(xié)商 (Intelligent Negotiation for Opt
imum Voltage, INOV)演算技術(shù),讓充電系統(tǒng)能以最佳功率級(jí)別充電,并且將能
源轉(zhuǎn)換效率最大化提升,實(shí)現(xiàn)充電約35分鐘時(shí)間,即可讓一般手機(jī)電量從0%恢
復(fù)至80% (相較一般充電技術(shù)則約花費(fèi)1.5小時(shí))。
數(shù)據(jù)列表 MAX4581-83
產(chǎn)品相片 16 SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 Lead (SnPb) Finish for COTS
Long-Term Supply Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ? 2,500
類別 集成電路(IC)
家MAX4582CSE庭 接口 - 模擬開(kāi)關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
功能 多路復(fù)用器
電路 2 x 4:1
導(dǎo)通電阻 80 歐姆
電壓源 單/雙電源
電壓 - 電源,單/雙(±) 2 V ~ 12 V,±2 V ~ 6 V
電流 - 電源 -
工作溫度 0°C ~ 70°C
安MAX4582CSE裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 16-SO