P溝道150V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•經(jīng)過(guò)100％的Rg和UIS測(cè)試
•材料分類：
有關(guān)符合性的定義，請(qǐng)參閱
應(yīng)用領(lǐng)域：SI4455DY-T1-E3
•中間DC /中的有源鉗位
直流電源
•H橋高端開(kāi)關(guān)，用于
照明應(yīng)用
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 315 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.9 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI4
商標(biāo): Vishay Semiconductors
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
零件號(hào)別名: SI4455DY-E3
單位重量: 750 mg
