P通道30 V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•經(jīng)過100％UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•適配器開關
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 19.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 15.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V
Qg-柵極電荷: 135 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.9 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
寬度: 3.9 mm
商標: Vishay Semiconductors
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI4483ADY-GE3
單位重量: 187 mg
