P通道20V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•經(jīng)過100％UIS測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•負(fù)荷開關(guān)
•適配器開關(guān)
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制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 26.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 125 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.6 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標(biāo): Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 10 S
下降時間: 42 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 42 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 42 ns
零件號別名: SI4477DY-GE3
單位重量: 187 mg
