LM385BDR-1-2 電源IC_CC2530F256RHAR 其他IC導(dǎo)讀
該公司目前擁有兩個(gè)300mm晶圓廠，分別名為RFAB和DMO56。TI將很多邏輯和嵌入式IC生產(chǎn)外包給代工廠，但模擬芯片主要都是在其自家的工廠生產(chǎn)。
。隨著制程工藝的成熟與進(jìn)步，以及市場(chǎng)需求的增加，越來(lái)越多的公司采用20nm以下的先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)IC和器件，這使得越來(lái)越多的IDM和代工廠淘汰生產(chǎn)效率低下的晶圓廠。
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LM5010MHX 電源IC
TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。
TI負(fù)責(zé)連接微控制器的副總裁Ray Upton解釋說(shuō)，新技術(shù)對(duì)于“以穩(wěn)定的方式移動(dòng)大量數(shù)據(jù)”至關(guān)重要，從而改善了高性能通信。 。
TPS563209DDCR TPS563209DDCT TS3USB221RSER LM339APWR MAX3232IPWR 。
那么，這是不是意味著150mm晶圓正在逐步退出歷史舞臺(tái)呢？答案是否定的，150mm晶圓依然有著巨大的市場(chǎng)空間。行業(yè)內(nèi)大量的150mm晶圓廠被關(guān)閉，越來(lái)越多的300mm晶圓廠上馬并逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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BQ24166RGER 其他被動(dòng)元件
TI高速數(shù)據(jù)和時(shí)鐘副總裁Kim Wong表示，該技術(shù)還實(shí)現(xiàn)了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備之間的高精度和強(qiáng)大通信，現(xiàn)在可以以不那么笨重的形式開發(fā)。
TPS63060DSCR TPS63030DSKR TPS63060DSCT TPS63070RNMR TPS630701RNMR 。
IDC連接和智能手機(jī)半導(dǎo)體研究總監(jiān)Philip Solis說(shuō)，“新的BAW諧振器技術(shù)非常重要，因?yàn)門I正在將其集成到其硅芯片產(chǎn)品中，從而縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，解決方案尺寸和元件成本�！�。
。為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結(jié)構(gòu)和外部環(huán)境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。而震蕩結(jié)構(gòu)的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說(shuō)固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會(huì)在固體和空氣邊界處反射回來(lái)，跟原來(lái)的波(incident wave)一起形成駐波。
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固體中粒子以橢圓軌跡震動(dòng)，橢圓的長(zhǎng)軸垂直于固體表面，隨著固體深度越深，粒子運(yùn)動(dòng)幅度越小。而對(duì)于SAW，也叫Rayleighsurface wave，既有縱波也有橫波。。
Membrane Type是從substrate后面etch到表面(也就是bottom electrode面)，形成懸浮的薄膜(thin film)和腔體(cavity)。 還有一種方法叫FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 包括Membrane type和Airgap type。。
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