AD8672ARMZ_AD8672ARMZ導(dǎo)讀
首先介紹了半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展環(huán)境、半導(dǎo)體整體運(yùn)行態(tài)勢(shì)等，接著分析了半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行的現(xiàn)狀，然后介紹了半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。
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常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中最具有影響力的一種。
大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
因此，自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的導(dǎo)航系統(tǒng)精度無(wú)法只通過(guò)高精度衛(wèi)星來(lái)保障，基于MEMS傳感器技術(shù)的慣性測(cè)量單元(IMU)才是保障自動(dòng)駕駛的最后一道屏障。
LT3015EDD#TRPBF LTC3115EDHD-1#PBF LT6202IS5#TRMPBF LT8610EMSE#TRPBF LTC3542IDC#TRPBF 。
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并排對(duì)比了單層 PCB 設(shè)計(jì)上基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)和新型硅開(kāi)關(guān)的印刷電路板 (PCB) 原圖。與基于 PIN 二極管的開(kāi)關(guān)相比，硅開(kāi)關(guān)所占用的 PCB 面積不到其 1/10。它簡(jiǎn)化了電源要求，且不需要高功率電阻器。
多輸入、多輸出 (MIMO) 收發(fā)器架構(gòu)廣泛用于高功率 RF 無(wú)線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。作為邁入 5G 時(shí)代的一步，覆蓋蜂窩頻段的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)目前正在城市地區(qū)進(jìn)行部署，以滿足用戶對(duì)于高數(shù)據(jù)吞吐量和一系列新型業(yè)務(wù)的新興需求。
時(shí)分雙工 (TDD) 系統(tǒng)中，天線接口納入了開(kāi)關(guān)功能，以隔離和保護(hù)接收器輸入免受發(fā)送信號(hào)功率的影響。該開(kāi)關(guān)功能可直接在天線接口上使用 (在功率相對(duì)較低的系統(tǒng)中，如圖 1 所示)，或在接收路徑中使用 (針對(duì)較高功率應(yīng)用，如圖 2 所示)，以保證正確接至雙工器。在開(kāi)關(guān)輸出上設(shè)有一個(gè)并聯(lián)支路將有助改善隔離性能。
當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無(wú)法導(dǎo)通，電機(jī)也就無(wú)法運(yùn)行。。N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開(kāi)關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過(guò)的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過(guò)，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。
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。大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)將繼續(xù)發(fā)展，并將需要進(jìn)一步提高集成度。ADI 的新型高功率硅開(kāi)關(guān)技術(shù)很適合多芯片模塊 (MCM) 設(shè)計(jì)，將LNA 一起集成，以提供面向 TDD 接收器前端的完整、單芯片解決方案。
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